三星电子否认8层HBM3E芯片通过英伟达测试的报道
来源:ictimes 发布时间:2024-08-08 分享至微信

三星电子近日对有关其8层HBM3E芯片已通过英伟达测试的报道进行了否认。此前,有消息称三星的该款芯片即将开始供货,但三星明确表示这一报道并不属实。三星电子的一位高管也指出,HBM3E芯片的质量测试仍在进行中,与上个月财报电话会议时的情况没有变化。


7月31日,三星电子在公布第二季度财报的电话会议上曾表示,已向包括英伟达在内的主要客户提供了8层HBM3E产品的样品,并正在进行质量测试,预计第三季度开始量产供货。然而,最新的消息与此前的预期有所出入,三星电子目前尚未对外界公布具体的测试结果和供货时间表。


HBM3E芯片作为高端存储解决方案,对于高性能计算和人工智能等领域具有重要意义。市场对于三星电子的这一产品进展一直保持高度关注,此次报道的否认也显示了半导体行业中信息传播的复杂性。


尽管三星电子对报道进行了否认,但公司仍在积极推进HBM3E芯片的研发和测试工作,以期尽快满足市场需求。业界期待三星电子能够早日完成质量测试,并实现产品的顺利供货,进一步巩固其在半导体存储市场的领先地位。


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