在半导体产业持续升温的浪潮中，第三代半导体技术作为未来科技发展的核心驱动力之一，正迎来标准化进程的重要里程碑。近日，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）标准化委员会（CASAS）宣布了13项标准的新进展，这一消息无疑为行业注入了强心剂，预示着第三代半导体技术的标准化、规范化发展将迈入新阶段。

引人注目的是，其中2项关于GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）动态导通电阻测试的标准已经形成了委员会草案。这两项标准由浙江大学及其杭州国际科创中心牵头制定，分别为《用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法》和《用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法》。这两项标准的出台，不仅填补了GaN HEMT在特定应用场景下动态导通电阻测试的空白，更为相关产品的生产研发、特性表征、量产测试等提供了科学、统一的测试方法，有助于提升产品质量和市场竞争力。

此外，CASAS还公布了两项关于SiC（碳化硅）单晶生长用等静压石墨的标准征求意见稿。这两项标准由赛迈科先进材料股份有限公司牵头起草，分别聚焦于碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度的测定方法和技术要求。这些标准的制定，对于提高碳化硅单晶生长过程中所用石墨材料的纯度和质量，保障碳化硅单晶的生长效率和品质具有重要意义。

在SiC MOSFET技术标准方面，CASAS同样取得了显著进展。包括《SiC MOSFET阈值电压测试方法》在内的9项技术标准已完成征求意见稿的编制，这些标准覆盖了SiC MOSFET器件的多个关键性能指标和测试方法，为SiC MOSFET技术的研发、生产和应用提供了全面的技术支撑。