随着全球对高性能计算需求的不断增长，SK海力士（SK Hynix）正积极布局，以满足新一代高带宽存储器（HBM3E）市场的旺盛需求。为此，该公司正加快其1b DRAM的产能扩张步伐。

据悉，SK海力士计划通过改造其位于韩国利川的M16工厂，将原本用于生产10纳米中段（1y）DRAM的生产线转向1b DRAM的生产。

预计这一转变将使1b DRAM的月产能在2024年底前大幅提升至9万片，以满足市场对HBM3E的强劲需求。

此外，SK海力士还计划进一步扩大投资，持续增强其在HBM3E领域的竞争力。这不仅体现了SK海力士对市场需求的敏锐洞察，也彰显了其作为全球存储行业领军企业的雄厚实力。

随着SK海力士在1b DRAM产能上的不断扩张，该公司有望在未来继续保持其在全球DRAM市场的领先地位。