在竞争激烈的半导体存储市场中，美光科技近期取得了显著的研发突破。据业内人士透露，美光正在研制的下一代高带宽内存（HBM）在功耗方面大幅领先于竞争对手SK海力士和三星电子。这一新HBM产品在低功耗性能评估中展现出了卓越的性能，无疑为美光在全球半导体市场中赢得了更多的话语权。

目前，美光计划在今年年底实现2万片12英寸晶圆的HBM产能。尽管这一数字仅为SK海力士和三星电子产能的20%左右，但美光显然有着更为宏大的规划。据悉，美光预计明年将大幅增加其HBM产能，有望达到三到四倍的增长。这一产能的快速提升，无疑将助力美光在全球HBM市场中占据更加重要的地位。

除了产能的快速提升，美光还在积极布局未来的产品路线图。公司设定的目标是最早在明年下半年开发出第6代HB（HBM4），并预计在2028年开发出第7代HBM4E。这一系列的产品升级，不仅体现了美光在HBM技术领域的深厚积累，也展现了其对未来市场趋势的敏锐洞察。