在全球高性能计算领域，SK海力士正在推动其第六代高带宽存储器（HBM4）的研发进程，以满足AI芯片市场对更高数据传输速度的需求。预计该公司将在10月开始HBM4的投片测试，这标志着新一代存储器即将进入最后的验证阶段。

据ZDnet KOREA报道，HBM4存储器的量产计划定于2025年下半年。这一新技术将显著提升数据传输能力，相较于现有的HBM3E，HBM4的位宽从1024位元提升至2048位元，数据传输速度将翻倍。此外，HBM4支持堆叠16个DRAM芯片，而HBM3E仅支持12个，使得单颗芯片的容量从32GB提升至64GB。

作为英伟达和AMD主要的HBM供应商，SK海力士的这一步骤将进一步巩固其在市场中的领先地位。该公司还承诺未来推出的HBM存储器性能将比现有产品高出20至30倍，显示出其对技术创新的坚定承诺。

与此同时，三星也在积极研发自己的HBM4存储器，并预计将在下一季度进入市场。尽管三星在HBM3E存储器的品质验证上略显滞后，但其强大的生产能力使其成为SK海力士的重要竞争对手。对英伟达和AMD而言，多元化的供应来源将有助于缓解市场供需紧张的问题。

SK海力士的这一计划无疑将推动高性能计算技术的进步，为未来的AI应用带来更强大的支持。