businesskorea媒体报道，SK海力士已成功将第五代高带宽存储器（HBM）HBM3E的量产时间缩短了50%，并且良率已接近80%的目标范围。

这一成就标志着SK海力士在HBM3E的生产上取得了重要突破。此前，业界普遍预期其良率在60%至70%之间。

制造HBM需要高度的技术精湛，尤其是HBM3E的关键部件硅通孔（TSV）的良率提升一直是一个挑战。然而，SK海力士通过技术创新和持续努力，成功克服了这一难题。

目前，SK海力士已经开始向市场供应8层HBM3E产品，并计划在今年第三季度推出12层版本。同时，该公司还计划于2025年推出12层HBM4（第六代HBM），并在2026年推出16层版本。

随着人工智能市场的快速增长，SK海力士对下一代DRAM的快速开发充满信心。预计到2028年，用于人工智能应用的HBM和大容量DRAM模块将占据整个存储市场的61%份额。SK海力士将继续致力于推动存储技术的创新和发展，以满足不断增长的市场需求。