在HBM4（第五代高带宽存储器）的激烈竞争中，台积电似乎已经暂时领先三星。据韩媒中央日报分析，随着HBM4的推出，逻辑半导体和存储器的界限变得模糊，引发了IC设计、晶圆代工和存储器企业之间的领导地位争夺。

台积电在欧洲技术研讨会上首次公开了HBM4的细节，计划使用12纳米和5纳米制程技术生产HBM4的逻辑晶粒。这一策略使台积电能够根据客户需求定制化供应HBM4，从而在竞争中占据优势。

HBM的制造一直是存储器厂商的领地，但台积电打破了这个界限，成为首家涉足HBM的晶圆代工厂商。台积电与NVIDIA、SK海力士建立了合作关系，预计将于2025年推出HBM4，比原计划提前一年。

与此同时，三星作为整合元件制造商（IDM），可以在自家晶圆代工厂生产逻辑晶粒，但面对台积电的积极进攻，似乎陷入了被动防守的局面。在最近的HBM3E订单争夺中，三星尚未获得NVIDIA的正式认可。

韩国半导体业界人士指出，三星要想在HBM市场中脱颖而出，不仅需要在存储器市场上与SK海力士竞争，还需要在晶圆代工领域与台积电一较高下。或者，三星需要在人工智能半导体设计方面取得突破，才能在这场制霸战中取得胜利。