三星在HBM4技术领域取得重大进展，成功完成16层采用混合键合的样品开发。随着HBM技术竞争加剧，三星与SK海力士正争夺下一代HBM市场领导地位。三星预计2025年下半年量产HBM4，但面临量产挑战。

三星重金聘请前台积电高管林俊成，负责先进封装技术开发。林俊成指出，数据使用量快速增长，存储器带宽需求提升，混合键合技术作为下一代先进封装解决方案，能减少厚度、提升性能。

三星16层HBM样品已应用该技术，但仍需克服成本、制造稳定性和芯片翘曲控制等难题。三星计划并行使用TC-NCF和混合键合技术，而20层以上HBM尚在评估中。

SK海力士亦采取类似策略，考虑在16层HBM4中结合MR-MUF与混合键合技术，由客户选择最终方案。两家韩企在HBM4技术上均处混合键合过渡期，共同探索未来发展方向。