在AI芯片领域的重大突破即将到来！三星电子与台积电宣布强强联手，共同研发新一代高带宽存储器（HBM4）芯片。这一战略合作在Semicon Taiwan 2024高峰论坛上正式揭晓，双方致力于开发无缓冲HBM4芯片，以在高速增长的AI市场中进一步巩固其领先地位。

HBM技术在AI时代至关重要，其卓越的处理速度远超传统内存芯片，为AI应用的快速发展提供了强劲支持。作为第六代产品，HBM4预计将于明年开始大规模生产，三星、SK海力士和美光科技等顶级存储制造商将参与其中，以满足英伟达等AI巨头的需求。

此次合作标志着三星与台积电在AI芯片领域的首次深度联手，反映出面对复杂的内存制造工艺，行业领军企业意识到合作的重要性。无缓冲HBM4芯片在能效和延迟方面实现了显著改进，其能效比现有型号高出40%，延迟则减少了10%，这一创新将极大提升AI计算的效率和流畅度。

三星表示，HBM4芯片将在2025年正式量产，并计划于2024年下半年启动大规模生产。这一举措不仅展示了三星在内存生产、代工及先进封装领域的全链条服务能力，还将通过借助台积电的技术优势进一步拓展市场份额。

市场研究公司TrendForce的数据显示，三星目前在HBM市场中占据35%的份额，领先于其他竞争者。为了保持这一领先地位，SK海力士已宣布与台积电合作进