SK海力士近日宣布，将于2026年提前量产第七代高带宽存储器HBM4E。这一消息由SK海力士先进HBM技术团队负责人金奎旭在首尔举行的IEEE 2024国际存储研讨会上发布。他指出，从HBM3E开始，HBM产品的升级周期已经从两年缩短至一年。
业界预测，HBM4E将会实现16到20层的堆叠，而SK海力士此前已计划在2026年量产16层HBM4产品。公司还透露，可能从HBM4起采用“混合键合”技术，以进一步提高堆叠层数。这种技术通过去除芯片间的凸块，允许更多DRAM的堆叠。
金奎旭表示，虽然HBM4正在探索混合键合技术与其他主要工艺的结合，但目前良品率仍不高。如果客户需求超过20层的产品，可能需要引入新的工艺解决厚度限制问题。行业分析师认为，SK海力士有望在HBM4E中首次采用10nm制程的第六代DRAM（1c），大幅提升存储容量。
SK海力士的这一计划不仅展示了其在技术上的领先地位，也标志着高带宽存储器市场的激烈竞争。随着产品周期的缩短和技术的不断进步，未来几年内，我们可能会看到更多突破性的发展，进一步推动AI、大数据和高性能计算等领域的进步。
