集微网消息，根据士兰微最新投资者关系活动记录表披露，在SiC领域，目前士兰明镓已完成第一代平面栅SiC-MOSFET技术的开发，已将SiC-MOSFET芯片封装到汽车主驱功率模块上，并已向客户送样。2023年，士兰明镓将加快推进SiC芯片生产线建设进度，预计2023年年底将形成月产6000片6英寸SiC芯片的生产能力。

士兰明镓成立于2018年2月1日，为杭州士兰微电子股份有限公司与厦门半导体投资集团有限公司双方协议注册成立，注册资本12亿元，主要设计和制造GaN外延蓝绿白光LED芯片、GaAs外延红光LED芯片、GaAs外延激光器件芯片、InP光通讯器件芯片以及第三代功率半导体芯片等化合物半导体芯片。

据悉，2022年士兰明镓已着手实施“SiC功率器件芯片生产线”项目的建设，同年四季度，SiC芯片生产线已实现初步通线，并形成月产2000片6英寸SiC芯片的生产能力。根据此前公告，SiC功率器件生产线建设项目达产后将新增年产14.4万片SiC-MOSFET/SBD功率半导体器件芯片的生产能力。

此外，本次投资者关系活动记录表显示，该公司12英寸线目前月产能约6万片，产出约5万片。此前公告显示，项目建成后将形成一条年产36万片12英寸功率芯片生产线，用于生产FS-IGBT、T-DPMOSFET、SGT-MOSFET功率芯片产品。（校对/韩秀荣）