近日，厦门士兰明镓化合物半导体有限公司（简称“士兰明镓”）宣布其碳化硅（SiC）功率器件生产线建设项目已通过验收。

该项目在现有厂房基础上新增了一条SiC产线，主要生产SiC功率芯片产品，新增SiC产能规模为MOSFET芯片28.8万片/年、SBD芯片28.8万片/年，同时减少GaN外延的蓝绿光LED芯片57.6万片/年，总芯片产能达到672万片（等效2吋）。

该项目是士兰明镓二期项目的一部分。2017年，士兰微与厦门半导体投资集团签署投资合作协议，共同在厦门市海沧区建设4/6吋兼容的化合物半导体生产线，总投资达50亿元。截至2021年底，士兰明镓已完成第一期20亿元的投资，形成每月7.2万片4英寸GaN和GaAS高端LED芯片的产能。

2022年7月，士兰微宣布启动化合物半导体第二期建设，即“SiC功率器件生产线建设项目”，总投资15亿元，建设周期3年，目标是形成年产14.4万片6吋SiC功率器件芯片的产能。

此外，士兰微还在厦门市海沧区布局了8英寸碳化硅产线，根据与厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府签署的《战略合作框架协议》，该项目分两期建设，总投资规模约120亿元，预计在两期建设完成后，将形成8英寸碳化硅功率器件芯片年产72万片的生产能力。

项目一期已于今年6月18日开工，预计2025年三季度末初步通线，四季度试生产。这标志着士兰明镓在SiC功率器件领域的进一步扩张，有助于推动公司在半导体行业的竞争力。