半导体产业网获悉：由富乐华半导体科技研发的活性钎焊（AMB）氮化硅覆铜陶瓷基板突破国外技术长期垄断，一举填补我国功率半导体行业空白。在近日举行的科技工作者日庆祝活动上，该企业研发团队荣获优秀科技创新团队称号。

半导体器件不断向大功率、小型化、集成化和多功能方向迅猛迈进，对封装基板的性能也提出非常苛刻的要求。陶瓷基板在这个过程中成为一项广泛应用的基础材料，其中的尖端技术AMB氮化硅覆铜陶瓷基板备受日本功率半导体技术领域控制。富乐华自2019年起在博士团队带领下加大自主研发力度，攻克技术壁垒，实现弯道超车，成功开发出独具高热导、耐高温和较低热膨胀系数，且机械强度高、耐腐蚀绝缘性好、抗辐射能力强的AMB氮化硅陶瓷覆铜基板，为创建富乐华功率半导体研究院，夯实链主企业地位营造了强大磁场效应。

富乐华科技创新团队拥有6名博硕精英人才，由王斌博士领衔研发。该团队先后获得11项发明专利授权，研发的系列化试制产品已通过全球40余家企业样品认证，使一条又一条拥有自主知识产权的自动化生产线迅速形成，产品各项性能均达到世界先进水平，有力提升了我国功率半导体模块器件领域在国际市场上的核心竞争力和话语权。该团队领衔博士先后荣获省双创人才、苏北发展特聘专家等称号。

据了解，富乐华功率半导体研究院项目由江苏富乐华半导体科技股份有限公司全额投资建设，其主要产品DCB覆铜陶瓷载板、AMB活性金属钎焊载板产品技术、市场份额均位居国内第一、国际一流，获批盐城唯一省首席数据官试点、盐城潜在独角兽企业。公司联合中科院硅酸盐研究所、香港科技大学、电子科技大学建立研究院，对功率半导体行业基础材料进行研究攻关，解决半导体行业基础材料“卡脖子”难题。

2021年12月29日，江苏富乐华功率半导体研究院竣工。总投资2亿元，占地31.2亩。购置高分辨场发射SEM、TDM热翘曲分析仪、多功能氩离子刻蚀、红外傅里叶光谱仪、电子陶瓷流延机、磁控溅射机、紫外光刻机等先进检测分析测试及实验设备。建设分析测试中心、材料结构及失效分析实验室、先进连接技术实验室、封装结构设计及模拟实验室和中试车间。目前科研主楼、报告厅、实验室等已投入使用，研发人员已入驻办公。全面运营后每年可实现科技成果转化2-3件。