冠鼎半导体加码氮化镓市场,扩建GaN功率半导体项目
来源:ictimes 发布时间:5 天前 分享至微信
近日,江门市生态环境局正式公示了冠鼎半导体关于其第三代氮化镓(GaN)功率半导体生产新建项目的环评文件受理情况。该项目选址于广东省江门市新会区崖门镇,总投资高达1.055亿元,其中环保投入占据了50万元,彰显出企业对绿色发展的承诺。尽管施工期预计仅为短短两个月,但项目尚未正式动工。
冠鼎半导体此次扩产项目聚焦于第三代氮化镓功率半导体的生产,年产能规划高达1500万件,这无疑是对当前市场需求的有力回应。为了保障生产质量,项目将配备万级与十万级洁净室,并引入固晶机、焊线机、离子清洗机等尖端设备,确保生产流程的精密与高效。
值得注意的是,冠鼎半导体此前已在该领域有所布局,其第三代半导体封测工厂已于今年8月动工,并于12月顺利完成了氮化镓功率半导体生产建设项目的竣工投产,此次扩建无疑是对既有产能的进一步优化与提升。
冠鼎半导体作为江门市鼎翔电子科技有限公司的全资子公司,其背后的母公司鼎翔电子成立于2012年,深耕半导体封装材料领域多年,拥有丰富的行业经验和强大的技术实力。鼎翔电子专注于发光二极管(LED)引线框架、塑封三极管引线框架及精密电子元器件的生产,为冠鼎半导体的快速发展提供了坚实的后盾。
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