目前，在GaN器件代工领域，台积电处于领先地位，其主要客户包括意法半导体、纳微半导体和GaN System等领先的氮化镓企业。
台积电的挑战者在哪里？最近，韩国非常活跃，正在建第二个氮化镓代工厂。而且目前台积电的氮化镓代工平台主要是6英寸生产线，韩国新建的代工厂都采用了8寸线。
与此同时，据“三代半风向”了解，韩国还新增了2个氮化镓外延平台，同时韩国的氮化镓器件厂商开始在5G、国防和电源领域发力。
1月4日，据韩媒报道，韩国代工厂东部高科（DB HiTek）正计划建8英寸线生产硅基Gan半导体。
DB HiTek是一家专门从事8英寸代工的公司，发布了自主开发的8英寸硅芯片。据报道，DB HiTek计划于2022年利用其忠北的Sangwoo fab，或者另外建厂来满足电动汽车和电动设备等对8英寸氮化镓和碳化硅半导体的需求。DB HiTek公司高管表示，由于氮化镓生产线的设备交付期至少是1年，为此他们的GaN和SiC生产线最早将于2023年建成。目前，该公司已经确认要开始研发SiC和GaN芯片，且韩国政府已于2021年9月赞助了这个项目。这是韩国正式宣布的第二个8英寸氮化镓工厂，“三代半风向”此前报道提到，2021年10月，韩国ETRI和AOET两家公司达成合作，双方将建立GaN芯片制造等项目（.点这里.）。据介绍，该项目的目标是开发基于3C-SiC的氮化镓的功率和射频器件。该项目一旦成功，预计将建成自动化的8英寸氮化镓器件生产线，其生产设备投资额只有传统硅衬底生产设备的1/10。此外，韩国已经建成了6英寸和8英寸的氮化镓外延平台。
据韩国媒体报道，2021年12月，韩国纳米技术研究院宣布，他们已建成用于功率半导体和通信的氮化镓外延片国产化平台。
4英寸 SiC基GaN外延片（左）和6英寸硅基GaN功率器件外延片据悉，韩国纳米技术研究院已经开发了4英寸的SiC基GaN外延片，目前已应用于5G、6G通信和军用雷达功率放大器。同时，他们开发的6英寸硅基GaN外延片具有1400V或更高的击穿电压，以及稳定的晶圆翘曲特性，可应用于商业量产。据了解，韩国纳米技术研究所目前正在跟Sigitronics公司合作，计划利用他们的氮化镓外延片生产射频和功率器件，用于48-650V级快速充电器、电动汽车（EV）和激光雷达等领域。2021年11月，韩国IVWorks宣布完成了约1.1亿人民币C轮融资，用于扩大8英寸氮化镓外延片产能，以及改善人工智能生产平台（.点这里.）。IVWorks成立于2011 年，是韩国第一家实现8英寸硅基GaN外延片和6英寸碳化硅基GaN外延片的工厂。据了解，IVWorks的8英寸的硅基GaN外延片，采用Si(110)衬底来代替现有的Si(111)衬底，能够将GaN晶体管和驱动电路进行集成，其电子迁移率为2500 cm²/VS，薄层电阻为360 ohm/sq，薄层电阻均匀性为5%，厚度均匀度为2%，击穿电压为600V。韩国企业很看好氮化镓器件市场需求，接下来还会有多家企业新增氮化镓器件生产线。
韩媒2021年12月31日消息，未来降低氮化镓器件生产成本，通信器件制造商RFHIC计划将代工厂“内部化”，2021年7月，他们通过配股获得了4.4亿元人民币，其中约5320万元将用于并购GaN制造相关的新技术公司。据了解，RFHIC是韩国唯一一家生产GaN晶体管和无线功率放大器的公司，其主要客户包括三星电子等通信设备和雷达相关国防企业。2022年，三星电子将会扩大北美5G通信设备市场份额，同时由于美国的基础设施法案已经通过，Verizon、AT&T等美国电信公司也有望加大5G通信投资力度。此外，欧洲也开始认真建设5G基础设施，因此2022年电信设备行业前景看好。RFHIC将从中受益，为此，他们计划于2023年自己直接生产GaN晶圆。▲2021年9月，SK集团子公司SKC考虑与应用材料公司组建合资企业，进入GaN功率半导体市场。据悉，到2025年，该合资公司有望帮助SKC将年销售额提高到96.85亿人民币（.点这里.）。▲2021年5月，韩国确定了一项国家计划“X波段GaN半导体集成电路”，以帮助韩国战斗机(KF-X)开发雷达核心配件，三星、RFHIC、SK Siltron等众多企业参与了该计划。▲2021年3月，Sigitronics公司宣布推出GaN射频器件，该器件具备200W的高输出功率和DC~6GHz 的工作频率，据介绍，该器件的制造工艺稳定，良率可提高到70％以上。Sigitronics于2008年成立，2018年投资3100万人民币建设了6英寸硅生产线。Sigitronics公司CEO Shim Gyu-hwan表示，他们将完成6 GHz频段（RF功率10~200W）的 GaN RF产品阵容，未来会将产品阵容扩展到包括5G（28GHz）、卫星通信（35 GHz）、军用雷达（64 GHz）和自动驾驶汽车（77 GHz）。Shim Gyu-hwan还表示，他们计划准备新建一条生产线，于2022年开始生产和销售GaN RF器件。
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