携手独立晶片商 高通大啖多模无线充电商机

    不同于联发科、博通(Broadcom)等处理器大厂自行开发产品的模式，高通(Qualcomm)则与独立型无线充电晶片商如IDT和安森美(On Semiconductor)展开合作，共同设计多模无线充电接收器(Rx)与传送器(Tx)晶片，以加速拱大无线充电市场大饼。

    高通产品管理资深总监Mark Hunsicker表示，该公司已先后与IDT、安森美达成协议，将共同开发第一代和第二代整合磁感应(Magnetic Induction)和磁共振(Magnetic Resonance)技术的多模无线充电Tx和Rx晶片，而最后的晶片所有权将归高通所有。

    Hunsicker指出，高通将以上述晶片为基础，开发出完整的Rx和Tx参考设计并提交给无线电力联盟(A4WP)进行认证，再提供给授权厂商，以满足众多品牌客户对多模无线充电方案的需求。

    高通同时布局多模无线充电的Rx和Tx，主要目的系建置完整的系统，让无线充电在智慧型手机、平板装置等产品皆可顺畅运作，且合乎法规要求，并加速市场普及。至今，高通已有两款Tx产品通过A4WP认证。

    Hunsicker认为，多模方案存在的时间应该会历经两代智慧型手机，以每一代智慧型手机的产品生命周期约18～24个月推估，两代时间约达48个月，这段时间终端消费者会使用双模无线充电模式的产品；而在过渡期之后，支援单模磁共振的智慧型手机数量将会大增。