镓仁半导体氧化镓外延片通过流片测试

近期，杭州镓仁半导体自主研发生产的氧化镓（β-Ga₂O₃）同质厚膜外延片，在西安电子科技大学实验室完成了肖特基势垒二极管（SBD）无终端结构器件的流片制备。该器件的各项电学性能参数均通过了可靠性测试。此次测试采用无终端简单结构SBD芯片，主要检验衬底与外延薄膜的工艺稳定性，并对界面缺陷密度、载流子浓度控制、晶体质量以及外延层厚度均匀性等核心指标进行了考核。测试结果表明，该氧化镓外延材料已具备功率器件量产条件。

基于此次验证数据，镓仁半导体计划进一步优化外延层的表面平整度与掺杂精度，并推进带有边缘终端保护结构的高压大功率MOSFET及SBD器件的研发，后续将向下游功率器件企业送样。此次器件验证的完成，提升了该企业在氧化镓外延材料领域的国产替代能力，未来将逐步完善包含外延片与氧化镓单晶衬底在内的成套产品体系。