镓仁半导体氧化镓外延片完成验证

据报道，杭州镓仁半导体有限公司研发的氧化镓同质厚膜外延片，近期在西安电子科技大学完成了无终端结构肖特基势垒二极管（SBD）器件的制备及性能测试。

此次测试采用的外延片具备10微米的外延层厚度以及1×10¹⁶ cm⁻³的载流子浓度。测试数据证实，该器件在导通特性与耐压能力方面表现出色，核心参数跻身国际先进行列。这表明国内大尺寸氧化镓同质外延材料在器件应用方面取得了实质性进展。

在衡量功率器件耐压上限的击穿电压指标上，基于该厚膜外延片制造的无终端SBD器件达到了1090至1490伏特。这一数据明显高于日本行业头部企业的同类器件，反映出该材料具有较低的缺陷密度和较高的可靠性，可适配高功率与超高压应用场景。

同时，在影响导通损耗的比导通电阻方面，该器件测得数值为2.6至4.5 mΩ·cm²。该指标大幅低于日本同类竞品，成功实现了耐压水平与导通损耗之间的优化平衡。

作为超宽禁带半导体领域的材料与设备供应商，镓仁半导体的主营业务涵盖氧化镓垂直布里奇曼法长晶设备，以及2至8英寸的氧化镓单晶、衬底和同质外延片等核心产品。目前，该款外延片已实现常态化现货供应，能够为下游客户的器件量产和研发提供及时的材料支持。