首条兼容6和8英寸！杭州镓仁氧化镓量产线投产

杭州镓仁半导体宣布，其兼容6英寸与8英寸的氧化镓同质外延量产线已全面投入运行。首批6英寸（100）晶向的标准化外延晶圆已发往国内头部晶圆制造企业进行器件验证。此次量产线的投运及首批晶圆的交付，标志着氧化镓材料正式从实验室研发阶段跨入商业化批量供应阶段。

作为第四代半导体的关键材料，氧化镓的巴利加优值分别达到氮化镓的4倍和碳化硅的10倍，非常适合应用于高压电网、光伏储能、800V车载快充及日盲紫外探测等高端领域。

长期以来，受限于2至4英寸的小尺寸产能限制，全球氧化镓行业面临发展瓶颈，海外企业也未能实现6英寸及以上规格的商业化供应。由于小尺寸晶圆单次芯片产量较低且制造成本偏高，很难满足特高压和新能源等场景的大规模工业化生产要求。

针对上述痛点，该新建产线采用了自主研发的铸造法单晶生长技术以及定制的MOCVD外延工艺，成功贯通了从单晶生长到衬底加工再到同质外延的完整量产流程。在工艺指标方面，所生产的外延片厚度超过10微米，膜厚均匀性方差控制在1%以内，晶体缺陷密度得到显著改善。这种同质外延晶格与衬底的高度匹配，能够有效发挥氧化镓材料低导通损耗和超高耐压的特性。

此外，凭借自研长晶技术，贵金属铱的使用量大幅减少，使得单片衬底成本下降超过80%。结合超薄衬底加工技术，晶体出片率达到了传统工艺的3至4倍，从而在材料环节有效降低了下游企业的研发和生产成本。由于8英寸是目前全球芯片制造的主流尺寸，该兼容产线能够直接利用国内现有的成熟晶圆制造设备，免去了建设专用产线的环节，进而有效缩短了相关器件的产业化进程。