星钥半导体获数亿融资，8英寸硅基氮化镓产线通线

据科创板日报报道，星钥半导体（武汉）有限公司近期顺利完成新一轮股权融资，融资金额达数亿元人民币，此次投资由鼎晖投资独家完成。

该企业创立于2022年，主要研发方向集中于大尺寸硅基氮化镓（GaN-on-Silicon）技术，同时融合混合键合工艺来研发Micro LED芯片。目前，星钥半导体已在武汉建成全国首条8英寸硅基氮化镓Micro LED全工序中试生产线。该产线不仅成功通线，还达到了单色Micro LED芯片的量产阶段。通过贯通氮化镓外延生长、晶圆键合以及芯片制造等完整流程，这条生产线充分证明了8英寸硅基氮化镓平台在光电器件生产方面的实际应用价值。

作为第三代半导体的关键技术路径之一，硅基氮化镓相比蓝宝石基或碳化硅基方案，其核心优势在于可直接利用成熟的8英寸硅晶圆生产体系。这不仅扩大了晶圆尺寸，还大幅降低了原材料开销，展现出极强的商业化降本空间。传统的蓝宝石衬底方案虽常用于普通LED，却因尺寸和集成限制难以满足新型光电异质集成标准；而碳化硅基方案虽性能优越，但高昂的衬底成本阻碍了其广泛推广。

过去，国内该材料的产业化主要侧重于射频芯片和功率器件。如今，随着研发的不断推进，业界正逐步把这一材料工艺拓展到光电器件的研发中。凭借硅衬底能够与CMOS驱动电路实现晶圆级混合键合的特点，硅基氮化镓已成为Micro LED近眼显示技术的关键突破口，有望克服传统工艺中集成成本过高及巨量转移困难等痛点。

放眼全球，氮化镓产业正迎来多元化应用的快速扩张期。其中，功率类产品已在车载电源、快充及服务器电源等领域实现规模化应用，射频类产品则不断向卫星终端和通信基站延伸。在此背景下，众多国内厂商纷纷建设8英寸中试平台，力求在光电和电学两大领域实现突破，从而充分挖掘产线潜能。

尽管如此，8英寸硅基氮化镓在工程实践中依然面临诸多挑战。例如，硅和氮化镓之间固有的热失配与晶格失配现象，极易引发外延层裂纹或翘曲，进而降低外延片良率。此外，晶圆级混合键合工艺对应力控制和表面平整度的要求极为苛刻，相关技术仍需进一步打磨与优化。