英特尔High-NA EUV光刻机投入量产，三星台积电为何观望？

在英特尔大力推进高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻机应用的背景下，三星电子与台积电在引入该新型设备方面展现出更为谨慎的策略。据韩国媒体Chosun Biz报道，英特尔已率先将全球首台新一代High-NA EUV光刻机投入量产线，并完成了客户产品的交付。目前，该设备不仅应用于2纳米级别的Intel 18A工艺，还计划扩展至14A工艺。作为2023年最早采购该设备的厂商，英特尔已将其推进至实际生产验证阶段。

相比之下，三星电子的推进步伐显得相对稳健。消息显示，三星计划于2025年及2026年上半年在华城园区分别引入一台该型光刻机，总投资额约为1万亿韩元（约合人民币45.80亿元），即6.8亿美元（约合人民币46.17亿元）。尽管设备采购时间表与英特尔相近，但三星尚未确认将其正式投入量产。据业界人士透露，这并非受制于技术瓶颈，其2纳米工艺的良率已达到55%，接近60%的稳定量产标准。

三星放缓设备导入的核心原因在于财务规划。自2022年以来，三星芯片代工业务持续处于亏损状态，市场预期其最早将于2026年第四季度扭亏为盈。若过早全面启用高昂的新设备，将大幅增加折旧与运营等固定成本，进而可能推迟盈利节点。在缺乏大型客户订单保障的前提下，控制资本开支成为其首要选择。三星设备解决方案部门亦指出，2026年是验证技术实力与盈利能力的关键期，当前重心在于保障现有订单的产品性能与可靠性。

此外，全球芯片代工龙头企业台积电同样采取了稳健的设备迭代策略，规划在1.4纳米工艺阶段才开始引入High-NA EUV光刻机。由于其2纳米工艺的市场需求强劲且订单储备充足，现阶段并无提前部署新设备的迫切需求。

注：按1韩元≈0.0046人民币、1美元≈6.79人民币计算。