三大存储巨头猛扩高带宽内存，供应短缺将持续

三星、SK海力士以及美光这三家头部存储芯片制造商正积极规划在2026年大幅增加高带宽内存（HBM）的产量。根据调研机构Omdia的预测数据，2026年全球高带宽内存的产出容量（以比特为单位）预计将同比增长103%。在半导体行业内，评估存储芯片产量通常采用容量基本单位“比特”而非单纯的芯片数量。按照这一标准测算，全球厂商的该类产品供应规模将在一年内实现翻番。这也表明，各大厂商的动态随机存取存储器（DRAM）产能正加速向高带宽内存转移。从容量占比来看，高带宽内存于整体DRAM产出中的份额，预计会由2025年的12%上涨到2026年的15%，至2027年更有望攀升至30%左右。

目前这三家巨头都在重金布局高带宽内存产线。由于该技术需要将多层DRAM裸片进行垂直堆叠，单片裸片的面积远超普通DRAM的两倍。因此，在制造同等容量的前提下，高带宽内存所消耗的晶圆面积及洁净室空间至少是常规产品的三倍。据业内估算，2026年存储芯片制造商仅设备采购方面的总投资额就将高达647亿美元（约人民币4387.96亿元）。尽管投入巨大，市场预测明年的DRAM总供应量依旧难以彻底填补需求缺口，短缺态势将延续。

据韩国媒体Sisajournal-e报道，以往存储行业的增长多依赖于常规存储产品的价格上扬。然而从2027年开始，供应商与核心客户关于高带宽内存的提价磋商将日益频繁，这将推动该细分领域在整体营收和出货份额上的显著跃升。韩国尤金投资证券分析认为，常规DRAM及NAND闪存的价格上涨势头正在减弱，2027年的涨幅可能回落至个位数。尽管供需失衡会延续至2027年，且常规DRAM的利润率已接近90%，同时NAND和高带宽内存的价格在2027年预计还有80%的上涨空间。但当前厂商已改变单纯涨价的策略，转而注重深化客户合作并签署更多长期供货协议。

综合来看，依靠高带宽内存收入来拉动整个存储行业增长的趋势日益明显。特别是针对前期在该领域表现欠佳的三星电子，市场普遍预计其2026年的高带宽内存相关营收将比2025年实现三倍以上的激增。

注：按1美元≈6.78人民币计算