三大存储芯片巨头在美国被告，被控联手炒高内存700%

近期，美国加州北区联邦法院受理了一起针对动态随机存取存储器（DRAM）价格操纵的诉讼。据韩媒ChosunBiz等报道，14名美国消费者及3家小型个人电脑组装与代理企业在6月底发起诉讼，被告包括三星电子、SK海力士以及美光这三大存储芯片巨头。原告指出，这三家企业占据了全球约90%的市场份额，却借口扩大高带宽内存（HBM）的产能，故意减少DDR3和DDR4等通用型内存的供应。此举导致通用型内存价格飙升约700%，被外界称为“内存末日”。

从法律界的角度来看，三大厂商同时调整产能结构，并不直接等同于非法的价格串谋。在AI需求猛增的背景下，HBM的利润率远超普通内存，企业将资源向高附加值产品倾斜属于合理的商业决策。美国法院通常将这种竞争对手在相同市场环境下做出相似反应的现象定义为“有意识的同步行为”。在反垄断法框架下，仅凭行为相似无法直接认定串谋，原告必须提供更确凿的证据来证明企业间存在明示或暗中的协议。

根据美国联邦最高法院在2007年“贝尔大西洋公司诉托姆布莱案”中确立的标准，反垄断诉讼的原告不能仅凭“结果看似串谋”来起诉，必须在初期就提交具有合理可信度的具体证据。如果达不到这一门槛，案件很可能在证据交换阶段前就被被告通过驳回起诉动议而终止。

这起诉讼可以与2018年的DRAM价格案进行对比。当时原告指控三大巨头在2016至2017年间通过控制供应来抬高价格，但该案件在2020年被地方法院驳回，并在2022年维持原判，法院认定其行为属于合法的市场自由竞争。此次诉讼能否取得突破，关键在于原告提出的“HBM转产论”能否提供新的实质性证据，证明厂商借AI需求之名行限制供应之实。

历史上确实存在因直接证据而被处罚的先例。2005年，三星和SK海力士的前身海力士因在1999至2002年间参与DRAM价格操纵，被美国司法部查处。最终，三星缴纳了约3亿美元（约人民币20.41亿元）的罚款，海力士则支付了约1.85亿美元（约人民币12.58亿元）。当时的定罪依赖于会议记录、通信往来以及敏感销售数据交换等直接证据。

据韩媒透露，如果本次诉讼能够顺利通过初步审查并进入证据交换阶段，三大厂商内部关于产能分配、HBM转产计划、旧款内存减产以及与客户的价格沟通记录，都将成为法庭辩论的核心。对原告来说，仅仅证明“大家都去生产HBM”是不够的，必须找到厂商之间交换产量、定价或市场策略等机密信息的串谋痕迹。

从产业逻辑来看，全球存储芯片市场正处于供需紧张期，AI客户愿意支付溢价来获取HBM和先进内存，厂商优先保障高利润产品的供应是顺应市场的结果。因此，尽管这会导致DDR3和DDR4供应紧张，但要由此推断厂商事前达成了限制供应的协议，仍需更直接的证据支撑。这场诉讼能否进入实质性审理，“HBM转产”这一理由能否说服法院认定其并非单纯的市场同步行为，将是决定案件走向的最大悬念。

注：按1美元≈6.80人民币计算