存储芯片价格大涨，三大巨头砸重金扩产抢AI市场

据瑞士银行（UBS）近期公布的行业研究报告显示，该机构显著提升了对动态随机存取存储器（DRAM）合约价格的预期。报告预测，到2026年第三季度，DDR合约平均价格环比增幅将达到32%，而第四季度则会继续环比增长18%，这两项数据均明显高于此前17%和12%的预测值。在NAND闪存领域，该投行也同步上调了市场预期，指出第三季度和第四季度的环比涨幅将分别达到30%和12%，其中第三季度的原预估仅为17%。

报告还强调，DRAM领域的供需紧缺局面大概率会持续到2028年上半年。数据显示，2027年该类芯片的需求量同比增速预计为36.2%，大幅超出供应端19.3%的增速，导致供需缺口极难弥合，这种失衡状态在过去三十年中极为少见。如果排除下游企业补充库存的因素，供应短缺比例将由2026年的8.1%攀升至2027年的13.6%。基于这些分析，该机构认为产品涨价将带动整个存储行业在2026年实现9920亿美元的总收入，并在2027年进一步飙升至1.76万亿美元。

据韩国媒体7月3日消息，三星电子打算在第三季度把DRAM的平均售价环比提高最多20%。某消费电子品牌高管证实，三星在今年6月就主动进行了沟通，目前相关企业已经收到了口头的提价通知。这位高管指出，上游元器件成本的大幅增加必然会转嫁到终端产品的零售价上，这在一定程度上会抑制市场需求，不过鉴于当前消费电子产品的整体定价并不算高，预计消费者的购买热情不会受到太大影响。此外，也有行业资深人士证实了三星向部分客户进行口头报价提价的情况。

为了应对市场供不应求的状况并抢占人工智能芯片的市场份额，存储行业的三大巨头正在加快扩充产能的步伐。据彭博社报道，美光科技于7月4日在日本广岛为其西部厂区的扩建项目举行了奠基仪式。该项目投资额高达1.5万亿日元（约合人民币631.59亿元，约93亿美元，约合人民币631.96亿元），主要用于生产高带宽内存（HBM）等高端芯片，计划在2028年夏季左右投产出货。日本“经济产业省”已答应提供最高5000亿日元（约合人民币210.53亿元）的补贴来分担建厂费用。同时，美光还在美国爱达荷州博伊西筹建两座先进的芯片制造厂，并已于今年1月在纽约州锡拉丘兹附近为投资达1000亿美元（约合人民币6795.28亿元）的生产基地破土动工。

另一方面，三星电子宣布拟在韩国西南部的光州市新建两座存储芯片工厂，而SK海力士也计划在全罗道附近区域打造两座晶圆厂。这两家企业的总投资额将达到800万亿韩元（约合人民币35224.00亿元，约5223亿美元，约合人民币35491.74亿元），是韩国政府提出的“三大超级工程”核心组成部分。这一倡议主要围绕半导体、物理人工智能以及人工智能数据中心展开，整体投资规模高达4755万亿韩元（约合人民币209362.65亿元）。据韩联社报道，韩国政府高层计划于下周召开战略审查会议，亲自跟进西南部超大规模半导体生产基地的建设进度。

此外，据外媒消息，SK海力士打算在7月6日开启美国存托凭证（ADR）的簿记建档程序，7月9日敲定最终发行价格，随后在纳斯达克交易所正式上市。此次融资的最高目标金额为294亿美元（约合人民币1997.81亿元），计划发行的股份数量不会超过当前流通股本的2.5%。

注：按1美元≈6.80人民币、1日元≈0.04人民币、1万韩元≈44.03人民币计算。