获多方投资后，英特尔加速重构全球芯片制造平台

据供应链透露，在获得美国政府、软银以及英伟达等机构的资金支持后，英特尔计划于2026年进一步加快其全球化产业布局的步伐。

消息人士指出，该企业已对其全球生产基地进行重新规划与启动。其业务涵盖Intel 18A工艺量产、14A工艺及高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻技术研发，并同步推进EMIB、EMIB-T、Foveros以及混合键合（HB）等先进封装技术，旨在打造一个包含先进工艺、芯粒（Chiplet）、异构集成及封装测试的综合性制造平台。

在美国本土，各制造工厂分工明确。俄勒冈州工厂主要负责18A、14A工艺以及High-NA EUV和HB技术的研发工作；亚利桑那州工厂则承担18A工艺量产、先进封装、组装与测试及EMIB技术，并推进与联华电子合作的12纳米项目（内部代号为Intel 10）；新墨西哥州工厂专注于Foveros、EMIB-T及3D异构集成先进封装；俄亥俄州工厂被定位为长期的晶圆制造基地。

在亚洲地区，马来西亚同时布局先进封装与组装测试业务，其Pelican项目计划分为三个阶段实施，预计于2027年开启首期工程。中国成都与越南的工厂则主要侧重于规模化的组装与测试。马来西亚在英特尔制造体系中的地位显著提升，其后道工序设施的长期扩建计划已经展开，且新增产能已获得客户需求与订单的保障。槟城和居林地区长期承担芯片组装、封装测试及产品工程任务，正逐步从传统的后道工序基地向EMIB、Foveros及芯粒异构集成方向升级。

在欧洲及中东地区，爱尔兰的Fab 34工厂主要聚焦于Intel 3及EUV工艺，而以色列的设施则继续为Intel 7工艺提供支持。

据供应链消息，英特尔正从以往以晶圆制造为核心的模式，向整合先进工艺与封装的完整制造服务转型，其全球生产网络已同步激活。

根据规划，位于俄勒冈州Hillsboro的Gordon Moore Park园区及D1X研发晶圆厂，将负责新一代晶体管、光刻、材料、工艺集成、High-NA EUV及量产技术的开发。新工艺通常在此完成研发、工艺验证及初期良率提升，随后转移至亚利桑那、爱尔兰等其他量产基地。

阿斯麦（ASML）方面透露，英特尔已将EXE High-NA EUV技术应用于部分代号为Panther Lake的Core Ultra Series 3处理器的量产中。此外，Intel 18A特定工艺层数已在俄勒冈州完成了High-NA EUV的双重验证，其产品良率已达到与NXE平台相当的水平，并开始向客户交付。

供应链预估，当前18A工艺的月产能约为3万片晶圆，主要集中在亚利桑那州和俄勒冈州。随着Core Ultra Series 3、Nova Lake及后续数据中心处理器增加对18A工艺的采用比例，英特尔正在扩大投片量与设备规模。据悉，18A工艺的良率已提升至80%以上，亚利桑那州Fab 52工厂预计将于2026年底实现产能爬坡，性能增强版的18A-P工艺也在同步研发中。备受业界关注的14A工艺，其量产进度有望比原计划提前约半年，预计将在2029年正式投入量产。

先进封装技术是英特尔重塑晶圆代工竞争力的另一个关键因素。据供应链透露，EMIB-T的良率已达到98%，并按照三年前的技术规划进度，成功获得了亚马逊云科技（AWS）和谷歌等企业的订单。

在市场竞争方面，业界目前更加关注18A工艺能否实现稳定量产、14A工艺能否按期推进并获取外部客户，以及EMIB技术能否成为人工智能芯片制造商在台积电CoWoS之外的另一种选择。

供应链指出，18A工艺不仅标志着新工艺开发的完成，更关系到先进工艺稳定量产能力的重建。由于18A及18A-P预计将作为至少三代个人电脑与服务器处理器的基础，未来几年内将形成可观的晶圆出货规模。近期有消息称，受18A良率提升及台积电先进工艺报价上涨影响，英特尔可能会重新调整Nova Lake平台Compute Tile的生产比例，增加自有18A工艺的份额。不过，供应链人士表示，由于目前的投片规模已基本确定，且台积电产能处于满载状态，英特尔后续的调整幅度预计不会太大。

在先进封装与3D异构集成领域，英特尔的Foveros技术已成为连接自有工艺与台积电等外部晶圆制造资源的重要平台。结合了硅通孔（TSV）技术的EMIB-T，则主要瞄准大型人工智能图形处理器（GPU）及定制化人工智能加速器市场。

据供应链介绍，台积电目前在全球先进工艺、先进封装及庞大产能方面占据优势，并掌握主要芯片客户的订单；三星电子则持续推进2纳米及以下工艺的研发，除特斯拉外，也频频传出获得新增外部客户订单的消息。英特尔凭借在美国本土的制造与封装布局优势，近期加大了设备采购力度。随着18A工艺产能释放、14A工艺研发加速以及EMIB-T获得更多客户认可，其整体订单增长动能正在逐步增强。