SK海力士龙仁新厂建设提速，提前采购先进存储设备

随着全球存储芯片市场需求的不断回暖，SK海力士正在加快其位于韩国龙仁市的新存储器生产基地建设步伐。据韩媒ZDNet Korea引述业界消息，该公司近期已经向核心供应商下发了先进DRAM制造设备的采购订单。

据悉，这座名为Y1的工厂地处京畿道龙仁市处仁区，属于龙仁大型半导体产业园的首个落地项目。该厂一期工程规划了两栋主体建筑以及六个洁净室。为了加快项目落地，第一洁净室（ph1）的投用时间已由原计划的2027年5月大幅提前至同年2月。SK海力士计划在2027年2月启动试产线建设，并于随后的3月至4月期间，正式开展月产2万片规模的扩产设备安装工作。

半导体设备业人士透露，为配合上述进度调整，SK海力士将原本定于2026年底签署的设备单价合同，提早到了2026年第三季度初执行，以便相关设备能够尽早进场。该厂区初期的生产目标锁定为第六代10纳米级（1c）DRAM。这种先进制程芯片不仅适用于人工智能领域的高附加值DDR和LPDDR产品，还将作为2027年即将量产的第七代高带宽存储器（HBM4E）的核心组件。

此外，Y1工厂的第二和第三洁净室也计划于2026年下半年动工，整体施工节奏十分紧密。从宏观布局来看，整个龙仁半导体产业园的总投资额高达韩元600万亿（约人民币2.72万亿元）。该园区共规划了四座晶圆厂，其中第四座工厂的竣工节点也从2045年大幅提前至2033年，显示出企业应对市场供需变化的积极策略。

注：按1韩元≈0.0045人民币计算