三星1.4纳米工艺推迟至2029年量产

据韩媒Theelec报道，三星电子在近期举办的SAFE论坛上正式更新了其先进工艺节点的时间表。三星晶圆代工事业部设计平台开发室副社长辛锺信（音译）透露，1.4纳米工艺（SF1.4）的量产时间已从原计划推迟至2029年，而基于该工艺的改良版SF1.4+则预计在2030年投入量产。这一调整使得三星在下一代工艺节点的竞争中，进度略晚于计划2028年量产A14工艺的台积电，但与规划在2029年量产14A工艺的英特尔基本保持一致。

SAFE论坛是三星每年为晶圆代工合作伙伴举办的年度盛会，主要用于分享最新的工艺路线图和设计生态系统战略。在本次论坛上，三星还公布了新一代2纳米工艺的演进路线，具体包括SF2、SF2P、SF2P+以及SF2X。其中，SF2P+的量产目标设定在2027年至2028年之间，随后将推出专为人工智能（AI）和高性能计算（HPC）应用打造的SF2X工艺。三星强调，后续工艺节点将尽可能保持与现有知识产权（IP）的兼容性，以便客户继续使用现有的设计资产。

在技术细节方面，辛锺信解释了改良版（Plus）节点的优化策略。这些节点在维持现有IP基础架构的前提下，通过设计与技术协同优化（DTCO）以及功能新增，来提升良率以及性能、功耗和面积（PPA）表现。他指出，随着工艺微缩的推进，布线结构和设计限制变得日益复杂，DTCO的重要性愈发凸显。以从SF2升级到SF2P为例，功耗降低了26%，频率提升了15%，其中超过一半的性能提升归功于DTCO。

此外，为了增强在AI半导体领域的竞争力，三星还公布了扩大芯片内静态随机存取存储器（SRAM）容量的战略。辛锺信提到，英伟达Rubin GPU每个裸片大约搭载128MB SRAM，而采用三星4纳米工艺生产的最新语言处理单元（LPU）已经集成了超过500MB的SRAM，韩媒推测该产品为Groq公司的芯片。同时，三星还在论坛上展示了与韩国本土设计解决方案合作伙伴的合作成果，例如AD Technology基于三星2纳米工艺开发的AI基础设施平台，以及Rebellions采用4纳米工艺量产的“REBEL 100”AI加速器。