AI带动HBM需求爆发，存储芯片价格将迎来大涨

随着英伟达（NVIDIA）推动人工智能加速器市场的蓬勃发展，高带宽存储器（HBM）的供应竞争日益激烈。据韩媒Newdaily报道，业内预计到2027年，HBM的售价相较于2026年可能会出现至少50%的涨幅。这种价格上扬的趋势不仅改变了单一产品线的格局，更促使整个存储芯片市场从以往“产能过剩导致价格暴跌”的周期性波动，逐步演变为价格底部不断抬升的新常态。

据SK证券分析指出，HBM价格上涨的核心驱动力并非单纯的需求激增，而是通用型DDR5内存价格的快速攀升削弱了HBM的相对盈利能力。当前，每Gb容量的DDR5售价已开始反超HBM，且后者的利润率比前者低约40个百分点。考虑到HBM制造涉及硅通孔（TSV）、芯片堆叠以及先进封装等复杂工艺，生产成本居高不下。如果盈利结构无法改善，存储厂商扩大HBM产能的动力将受到抑制。此外，产能分配也带来了连锁反应。该机构预估，到2027年HBM与通用型DRAM的产能转换比例将达到4:1。这意味着在同等洁净室和设备条件下，增加HBM产量会大幅削减常规DRAM的比特产出。同时，有限的洁净室面积也会波及NAND Flash的供应。在AI服务器对HBM、服务器DRAM及企业级固态硬盘（eSSD）需求旺盛的背景下，产能向特定产品倾斜将加剧整体存储市场的供应紧张，从而对各类存储芯片的价格形成支撑。

长期合约（LTA）的普及进一步巩固了价格底线。当核心客户通过签订三至五年的协议提前锁定采购量时，供应商能够获得稳定的订单和清晰的业绩预期。这直接导致流入常规现货市场的货源减少，在库存有限的局面下，现货端的竞争愈发白热化，使得价格很难跌回历史低位。

在这一行业背景下，韩国存储巨头的业绩预期被大幅上调。据SK证券预测，三星电子2026年的营业利润有望达到378万亿韩元（约16900.38亿元人民币），折合2739亿美元（约18593.00亿元人民币）；SK海力士的同期营业利润则预计为272万亿韩元（约12161.12亿元人民币）。分析显示，三星电子将同时受益于通用DRAM价格上扬及成功打入HBM供应链；而SK海力士则能凭借在HBM领域的先发优势提升议价话语权。此外，业界高度关注2026年中国台湾地区台北国际电脑展（COMPUTEX）与英伟达GTC中国台湾地区大会。若英伟达在展示新一代AI平台时重申存储器的关键作用，将进一步影响韩国厂商与客户的谈判格局。针对2027年的市场走向，SK证券认为，受定制芯片（ASIC）需求强劲及HBM4E市场启动的综合影响，HBM3E、HBM4和HBM4E等全系产品均将迎来价格上涨。

注：按1韩元≈0.004471人民币、1美元≈6.788267人民币计算