三星SK海力士大扩产，韩国砸重金建存储芯片厂

李在明主持韩国三大巨型项目全国简报会。韩国总统室

据韩国媒体ET News及ZDNet Korea等报道，三星电子与SK海力士计划共同出资800万亿韩元（约人民币3.52万亿元），即约5416亿美元（约人民币3.68万亿元），用于新建四座存储芯片工厂。这些新设施将落户全罗南道光州广域市，标志着该国半导体制造基地正从首都圈向全国范围延伸。在近期举行的韩国三大核心项目全国说明会上，韩国政府高层正式公布了构建全国性半导体产业链及配套基础设施的蓝图，明确提出将西南部区域发展为第二个半导体制造中心。

在此次规划的四座新工厂中，两家企业将各自负责建设两座。业界预计，光州广域市将借此构建起全新的半导体制造生态圈，而最终的落地位置将综合评估当地的基础设施、人力资源及生活配套等条件。这也是继龙仁半导体产业园之后，韩国存储巨头的又一次大规模产能扩张。关于新厂选址的考量，韩国官方解释称，目前晶圆厂高度集中在首都圈，不仅面临地缘政治方面的潜在风险，而且在土地、水电供应等方面已接近承载极限，亟需开拓新的发展空间。光州及全罗南道等西南部地区拥有沿海工业腹地、港口及能源优势。将存储芯片晶圆厂布局于此，旨在化解京畿道及首都圈产能过度集中的隐患，进而培育出新的区域性半导体产业集群。

与此同时，两家企业现有的在建晶圆厂项目也将加速推进。例如，三星平泽P5和P6工厂将采取同步施工模式，工期比原计划缩短三至四年。在龙仁半导体产业园项目中，以最后一座工厂的竣工时间为节点，SK海力士和三星的建设周期将分别缩减12年和7年。按照最初的设想，SK海力士和三星原计划分别在2045年和2047年前完成4座和6座晶圆厂的建设。SK集团董事长崔泰源透露，公司将提前启动在龙仁约600万亿韩元（约人民币2.64万亿元）的DRAM扩产项目，以及在清州约100万亿韩元（约人民币4404.00亿元）的NAND闪存扩产项目。加上此次在光州约400万亿韩元（约人民币1.76万亿元）的投资，SK集团在半导体领域的投资总规模将达到1100万亿韩元（约人民币4.84万亿元）。韩国期望通过上述举措，在五年内实现存储芯片产能翻倍。为此，韩国政府承诺将保障水电等基础设施供应，并协同企业优化审批程序，从而推动产能快速扩张。

在封测环节，忠清地区也将同步扩充后道工序产能。由于前道工序生产的晶圆需经过切割和封装才能成为存储芯片成品，后道工序工厂至关重要。目前，三星在温阳和牙山设有封测基地，SK海力士则布局在利川和清州。根据最新规划，两家企业将在忠清地区投入81万亿韩元（约人民币3567.24亿元），用于新建高带宽存储器（HBM）等先进封装工厂。据业内人士透露，三星已制定了温阳和牙山封装厂的升级扩建方案，旨在增强人工智能存储芯片的封装实力。

此外，韩国还计划在东南部及大邱庆北地区建立材料、零部件和设备的创新中心。依托釜山在功率半导体领域以及龟尾在半导体材料和设备方面的产业基础，当地将建设8英寸碳化硅（SiC）公共工厂，并成立功率半导体支持机构。同时，韩国还将搭建国防专用系统芯片的测试评估及材料零部件验证平台。

注：按1韩元≈0.0044人民币、1美元≈6.80人民币计算。