AMD推封装内内存方案，缓解DRAM短缺

据Wccftech报道，为应对DRAM供应短缺以及高带宽内存（HBM）价格持续上涨的问题，AMD计划推出首款采用封装内内存（MoP）技术的Versal Premium Gen 2 MoP解决方案。此举不仅旨在解决当前的供货难题，也为未来更标准化的MoP SoC方案奠定基础。

该方案在SoC封装内最多可集成4颗LPDDR5X内存，最高提供32GB容量，传输速率达9000 MT/s，带宽最高可达288 GB/s。相比独立式方案，其不仅实现了比板载LPDDR5X更高的性能，还使PCB面积缩减60%，计算性能提升10倍，并将产品生命周期延长至15年以上。

在硬件IP方面，新品集成了CXL 3.1和64 Gb/s的PCIe 6.0传输速率。配合AMD EPYC系列处理器，可加速数据密集型应用运行，并提供更大的系统架构弹性以扩展内存资源及连接CXL内存池与扩展模块。安全方面，PCIe 6.0引入的完整性与数据加密（IDE）功能在链路层加密数据以防御物理攻击，集成控制器中的DDR内存加密功能则能在不消耗可编程逻辑资源的前提下保护静态数据安全。此外，该芯片支持-40°C至110°C的工业级运行温度。

凭借LPDDR5X技术和长期生命周期支持，Versal Premium Gen 2 MoP有助于将产品供应与数据中心驱动的短周期HBM更新相解耦，降低客户因内存停产或供应受限而被迫重新设计的风险。该产品预计于2026年底提供样品，并在2027年下半年开始量产出货。