闪存见顶快于内存，SSD硬盘明年有望缓解缺货压力

据调研机构TrendForce消息，在本轮存储芯片价格上涨周期中，NAND闪存的价格涨幅与供需缺口均低于DRAM内存。该机构预测，2026年NAND闪存比特供需缺口将维持在负4%至负5%区间，供应短缺状态仍会延续。不过，到2027年下半年，这一缺口预计将转为正值，从而缓解供应紧张的局面。相比之下，DRAM内存的供需平衡预计要到明年底才能达成，产能过剩或将推迟至2028年出现。

从需求结构来看，服务器占据了NAND闪存比特需求的40%以上，智能手机与平板电脑的合计份额也接近40%，对整体市场走向具有重要影响。同时，人工智能应用对NAND闪存的需求占比约为40%。近期有消息指出，小米已将今年的智能手机出货量目标上调至1.1亿部以上，这在一定程度上反映了终端厂商对存储芯片的需求预期。库存方面，存储芯片原厂的库存水平依然偏低；模组厂商受消费终端市场疲软影响，库存有所增加，但其他采购方的库存量仍保持在合理范围内。

由于NAND闪存的制造难度相对较低，且当前人工智能对高带宽内存的强劲需求大量挤占了DRAM产能，使得内存的供需缺口更为显著，因此闪存的产能恢复与价格见顶速度将快于内存。此外，中国本土企业在闪存领域的市场地位正快速提升。长江存储今年第一季度的全球市场份额已达13%，位居世界第四。凭借其积极的扩产策略，该企业今年底有望进入全球前三，并计划在未来两年内冲击全球第二的市场位置。