三星HBM4E测试良率超70%，高盛上调价格预期

国际投行高盛近期调整了对三星电子2027年高带宽内存（HBM）产品售价的预测，将其年增长率预期从原先的14%显著上调到了44%。该机构分析称，常规动态随机存取存储器（DRAM）在现货市场上的强势走势，或将成为明年HBM合约定价的重要参考指标。考虑到HBM市场供应依然紧张，且其与常规产品的价格差距不断拉大，高盛认为44%的增长预期或许仍未完全体现出潜在的上行空间，未来相关价格预测仍有继续走高的可能。

在技术进展方面，据相关报道，三星电子器件解决方案事业部在6月底举行了一场内部经营会议。该公司首席技术官兼半导体研究所负责人在会上透露，第四代高带宽内存（HBM4E）在可靠性测试环节的良品率已经突破70%大关。在半导体制造领域，80%通常被看作是工艺达到成熟且稳定的标准线。尽管HBM4E尚处在可靠性验证时期，但超过70%的良率数据表明其研发工作已迈入平稳推进阶段。

此外，该高管还在同一场合提到，采用10纳米级别节点的第七代DRAM（D1d）工艺，在技术实力方面已领先于同业竞争者。按照目前的规划，该项新工艺预计将在今年11月份顺利通过生产准备评估，从而为后续的量产工作奠定基础。