AMD推出新款自适应芯片，集成内存破解空间难题

当前，物理人工智能、高分辨率视频处理以及先进网络等计算密集型任务快速普及，导致现代嵌入式系统对内存容量和带宽的要求急剧上升。然而，芯片研发正遭遇系统物理空间受限、物料清单规划繁琐以及内存供应链吃紧等多重阻碍。为应对这些行业痛点，AMD于6月30日正式扩充了其第二代Versal Premium自适应SoC产品线，推出了首款在单一封装内直接集成LPDDR5X内存的MoP（封装上内存）自适应片上系统。

在高性能嵌入式应用中，以往主要依赖硅中介层和CoWoS先进封装技术来集成高带宽内存（HBM），以获取极高的带宽。不过，HBM存在成本高昂、难以提供十到十五年长期供货保证，且无法通过零摄氏度以下工业级环境测试等短板，因而更多应用于数据中心，难以完全契合嵌入式领域的实际需求。

基于此，AMD在成熟的第二代Versal Premium架构上引入了MoP技术。该方案放弃了昂贵的中介层，转而使用有机基板，将最高具备150万LUT的可编程逻辑芯片与符合JEDEC规范的LPDDR5X组件直接相连。据AMD自适应与嵌入式计算事业部高级产品管理经理Mike Rather介绍，这种全新封装在应用和技术上实现了三项关键突破：

首先是大幅缩减电路板面积。新一代MoP器件将最高32GB的LPDDR5X内存内置于单一封装内，免去了板级分立内存的走线，相较于传统的离散式板载内存方案，最多可节省60%的PCB占用面积。

其次是加快产品研发进度。传统的板级内存设计需要进行复杂的信号与电源完整性仿真，并伴随重复流片的风险。而AMD预先验证的封装内内存接口，免除了电路板上繁杂的高速内存布线工作，通过降低PCB设计难度，能让产品提前数月上市。

最后是提升系统可靠性。不同于受数据中心更新周期影响且寿命较短的HBM，MoP器件采用符合JEDEC标准的LPDDR5X组件，能够提供超过15年的产品生命周期保障。同时，该芯片支持-40°C至110°C的工业级宽温运行，且由于内部接口完全封闭在物理封装中，有效减少了物理攻击面，安全性更高。

凭借上述特性，第二代AMD Versal Premium MoP有效解决了高密度实时数据处理设备在内存带宽、物理空间、开发周期及设备服役年限等方面的难题。其核心应用聚焦于广播与专业音视频以及测试与测量两大领域。在专业摄像机和现场制作等音视频场景中，设备需同时处理多路4K/8K视频及实时AI边缘视频流。MoP器件不仅具备确定性的实时帧精确切换能力，其高集成度也有效克服了专业摄像机内部严苛的空间与散热限制。在测试与测量领域，55×57.5毫米的MoP封装可顺利适配标准3U PXI机箱，结合双PCIe Gen6 x8控制器与高速确定性内存访问，有力支撑了高端示波器、5G/6G无线测试仪及任意波形发生器等设备的研发。

此外，AMD还同步扩展了标准版第二代Versal Premium系列。新增的VSVA3224封装最大化了DDR5 RDIMM的连接能力，支持4个高容量DDR5 RDIMM连接，满足512GB以上的大容量存储需求。标准系列每款器件还增加了第三个可编程逻辑PCIe 5.0 x4控制器，与CPM6中的双PCIe 6.0 x8控制器形成良好互补，提升了设计迁移的便利性。

据Mike Rather透露，目前第二代Versal Premium器件已经出货，2VP3602器件正处于送样阶段。第二代Versal Premium MoP的早期文档已发布，相关Vivado工具及软件支持预计在2026年第三季度推出，芯片样片将于同年第四季度开始供应，并计划于2027年第三季度全面量产出货。