三星、SK 海力士、美光在美国遭集体诉讼

据报道，美国加利福尼亚州联邦法院于6月25日受理了一起针对三星、SK海力士以及美光科技的集体诉讼。这三家存储芯片制造商被指控串通控制动态随机存取存储器（DRAM）的市场定价，从而引发了业界所称的“内存危机”。

该案由约翰·特里诺作为代表发起，旨在维护近年采购搭载常规DRAM终端产品的企业与个人消费者的权益。诉状指出，上述三家公司凭借其在国际DRAM领域的垄断优势，借发展高带宽内存（HBM）之名，共同压低DDR3与DDR4等常规存储芯片的产出，故意造成市场供货紧张。

高带宽内存对常规DRAM生产能力的挤占是此次诉讼的核心论点。由于HBM芯片的物理体积显著超过常规DDR产品，单枚HBM3E芯片的占用面积大约是常规DDR芯片的双倍。因此，制造单枚HBM产品需要耗费双倍的晶圆空间。

预计到2026年，HBM将占据国际DRAM晶圆总产能的四分之一左右，且其市场需求量正保持每年约70%的增速。虽然同期全球DRAM晶圆整体产能预计将提升14%，但划拨给常规DRAM的份额仅增加10%，这种产能分配的差异直接造成了消费类存储产品的供货不足。

原告方主张，这三家行业龙头原本具备同步扩充常规DRAM生产线以弥补市场空缺的能力，但它们却将生产资源集中于利润率更丰厚的HBM领域，实质上构成了联合缩减产量的行为。此类协同举措导致DRAM产品售价在过去四年间飙升了约700%。苹果公司近期全面提高iPad与Mac产品零售价的举动，被视为成本转嫁的典型表现，同时也被列为引发此次诉讼的导火索之一。

诉状还提及了这些企业过往的违规历史。2005年，三星因涉及控制DRAM定价的指控，向美国司法部承认违规，并缴纳了3亿美元（约人民币20.41亿元）的刑事罚金，该笔罚款金额在美国反垄断历史上位居第二。在同一年，SK海力士亦承认违规并支付了1.85亿美元（约人民币12.59亿元）的罚款。若计入尔必达公司所受的处罚，该系列案件的罚金总额高达7.31亿美元（约人民币49.74亿元），且有多位企业高级管理人员被判处监禁。

原告方指出，这三家企业过去就曾利用调节产出与报价的手段来干预市场，当前不过是把相同的操作模式披上了“向HBM转型”的外衣。目前，HBM对常规DRAM产能的挤占现象仍在继续，且这三家企业在HBM市场占据主导地位，掌握着产能分配的决定权。

注：按1美元≈6.80人民币计算