DRAM涨价惹众怒，存储三巨头在美遭集体诉讼

近期，由于内存芯片价格不断攀升，引发了消费者和市场的强烈反应，并最终演变为法律纠纷。据悉，三星电子、SK海力士以及美光这三家存储芯片巨头，最近在美国加利福尼亚州联邦法院面临一项集体诉讼。原告指控这三家企业涉嫌合谋控制DRAM（动态随机存取存储器）的产能，故意抬高产品售价，致使近年来内存成本大幅上涨，并连带推高了个人电脑、服务器以及各类消费电子产品的终端价格。

该诉讼由采购搭载标准型DRAM产品的企业和个人消费者联合发起，旨在要求上述三家厂商赔偿其经济损失。起诉方认为，这三家行业龙头凭借其在国际DRAM市场的垄断优势，协同把制造资源倾斜至人工智能领域急需的高带宽内存（HBM），从而蓄意削减DDR3和DDR4等常规DRAM的产出，直接引发了市场供货短缺。

根据诉状内容，尽管三星、SK海力士与美光声称调整产品线是为了应对人工智能需求的激增，但其实际行为却是借HBM的市场热度来挤压传统DRAM的供给。此举造成在过去四年里，常规DRAM的售价累计暴涨了大约700%，被外界形容为“内存末日”。

作为智能手机、个人电脑、服务器等众多电子设备的核心元器件，内存成本的增加会迅速传导至终端市场，导致近几个月来各类电子产品普遍出现涨价现象。诉状中还特别提及了苹果公司近期上调Mac和iPad产品售价的案例。苹果方面也曾公开承认，内存成本的大幅攀升是导致其设备提价的关键因素之一。

事实上，这三大内存制造商并非第一次面临操纵价格的指控。早在2005年，美国司法部就曾查处过一起DRAM价格垄断案件。当时，三星被处以3亿美元（约20.41亿元人民币）的罚款，而SK海力士（彼时名为海力士）、美光、尔必达以及英飞凌等企业也均牵涉其中。

有法律界人士指出，此类反垄断诉讼的最终胜诉难度通常较大。美国第九巡回上诉法院在2022年就曾驳回过一起类似的DRAM价格操纵集体诉讼，理由是原告无法提供充分证据证明涉事企业存在实质性的串谋行为。不过，随着生成式人工智能的迅猛发展，高带宽内存的利润率显著高于传统DRAM，大型云服务提供商也愿意支付溢价来保障长期供应。因此，存储原厂将产能优先分配给HBM，主要是受市场需求和经济效益的客观驱动。

注：按1美元≈6.80人民币计算