韩国团队研发芯片内置液冷新技术

据韩国科学技术院（KAIST）于2026年6月16日发布的官方公告显示，其跨学科研究团队成功开发出一项芯片内置的高效液冷散热技术。据悉，该技术的完整实验数据与方案已于6月15日刊登在国际学术期刊《能量转换与管理》上。

该项研究由机械工程系金成镇教授与人工智能及计算学院李益振教授共同牵头，并由多位研究员合作完成了论文撰写。论文题为《Highly energy-efficient manifold microchannel for cooling electronics with a coefficient of performance over 100,000》，并公开了唯一的文献DOI编号。该项目的研发经费主要来自韩国国家研究基金会以及国防技术振兴研究所的专项支持。

据官方新闻稿透露，此项散热方案运用了3D歧管微通道一体化设计。研究人员直接在硅基底内部刻蚀出微米级的冷却水路，从而省去了外置冷板及复杂的相变冷却介质。该系统仅凭普通室温水便能直接对芯片发热核心进行导热降温。实验结果表明，其冷却性能系数（COP）高达106000。与2020年《自然》杂志公布的全球最高纪录相比，整体冷却效率实现了十倍的增长。

官方资料指出，传统的微通道液冷技术具有明显的局限性。由于冷却液必须贯穿整个芯片通道，导致流体阻力较大且循环泵能耗偏高，同时易引发芯片局部温度分布不均的现象。为此，研究团队利用仿真技术对歧管分流架构进行了优化，采用多路水路分布式进出的方式。这一改进有效缩短了冷却液的流动路径，显著减少了循环泵送所需的电能。在满足同等散热需求的前提下，该冷却系统的能耗仅相当于当前顶尖方案的十分之一。

实测数据表明，这种新型液冷结构能够适应高达2000瓦/平方厘米的超高热流密度工作环境。即使在如此极限的发热条件下，芯片的核心温度依然能被稳定控制在100摄氏度以下。此外，整套装置的制备无需依赖纳米表面改性或金刚石衬底等昂贵的配套材料，仅依靠标准的硅片刻蚀工艺即可制造完成，完全具备量产落地的工艺条件。

韩国科学技术院在公告中强调，随着人工智能算力芯片和高性能计算器件单位面积发热量的不断增加，传统的风冷和外置液冷技术正逐渐逼近物理散热的极限。高热通量带来的散热瓶颈已成为制约下一代数据中心升级的重要因素。这项内置式高效水冷技术未来可广泛应用于人工智能加速芯片、功率半导体以及大型算力服务器等高热流电子系统中。这不仅有助于降低数据中心的整体电力消耗，还能有效缓解算力设备在热管理方面面临的难题。