英特尔推出18A-P工艺与300毫米氮化镓集成方案

在2026年VLSI超大规模集成电路国际研讨会上，英特尔代工公布了Intel 18A-P工艺的最新研发进度，并展示了多项中长期技术成果。据英特尔官方披露，作为18A系列首个性能强化版本，18A-P节点现已步入风险试产环节。相较于基础版18A工艺，新技术在相同功耗下能使性能提高9%，或在同等性能表现下让功耗减少18%。此外，借助全新的Power Boost能效优化技术，芯片的热阻可下降20%至40%，层间过孔电阻也能减少10%至30%。该节点完全兼容现有的18A设计规则，便于客户直接沿用成熟的IP和设计流程。

除了逻辑工艺的迭代，英特尔代工还在会上重点展示了三个长期研发项目，包括单片式CFET垂直晶体管、减成法钌互连技术，以及氮化镓与硅基逻辑的单片集成方案。据官方通稿表述，研发团队已成功在300毫米大尺寸硅晶圆上完成了氮化镓单片集成的工艺验证。该技术能够在同一晶圆上同时制造氮化镓功率元件和硅基数字控制电路，其片内集成规模达到了约1000个逻辑门的完整控制模块。这种单片集成设计使得高效功率器件与大型数字控制单元能够在同一制造流程中协同生产，从而在芯片底层减少了分立器件所需的外部连线和封装层数，有效降低了终端电源系统的整体架构复杂性。

英特尔同时介绍了与该氮化镓集成方案相配套的超薄衬底技术。通过该工艺，硅基底厚度可被削减至19微米，这不仅缩短了载流子的传输距离、降低了寄生电阻带来的损耗，还改善了器件的散热性能。测试表明，氮化镓的开关速度和耐高压指标均保持一致，整个300毫米晶圆上的器件性能均匀度已达到量产研发的要求。传统的电源设计通常将氮化镓功率芯片与独立的CMOS控制芯片分开封装，由于两者在不同产线生产，不可避免地存在系统互连损耗、信号延迟和体积较大等缺陷。而英特尔的单片集成路线则实现了功率与控制电路的同源制造，有效克服了这些短板。

从氮化镓行业的发展角度来看，英特尔在300毫米生产线上完成的异质集成验证，填补了该材料规模化制造的关键一环。目前全球氮化镓器件的量产主要依赖200毫米或更小尺寸的晶圆，转向300毫米产线能够显著降低单片制造成本。同时，功率与控制电路的单片整合也解决了业界长期存在的分立设计难题。据官方资料显示，这项新技术主要应用于AI服务器电源、车载电源适配器以及工业控制电源等领域，有助于进一步缩小电源模块的体积并提高电能转换效率。