英特尔18A-P工艺进入风险试产，发力芯片代工

近日，英特尔在夏威夷举办的VLSI Symposium 2026会议上宣布，其18A-P先进工艺节点已步入风险试产阶段。据路透、Wccftech以及Tom’s Hardware等媒体报道，该工艺在原有18A基础上进行了优化，下一步的目标是实现高良率与大规模量产。

在性能表现方面，18A-P工艺展现出显著优势。在同等功耗条件下，其性能可提升约9%；若保持性能不变，功耗则能降低18%。此外，该工艺与18A的设计规则完全兼容，芯片设计企业无需大幅修改现有架构，即可沿用原有的知识产权和设计流程进行升级。

技术细节上，18A-P引入了名为Power Boost的新型双触点晶体管结构。结合此前18A工艺采用的PowerVia背面供电技术（将供电网络转移至晶圆背面以缓解信号布线阻塞），18A-P使晶体管在正背两面均具备触点。这种设计在维持相同面积和电容的前提下，有效提升了驱动电流与开关速度，是业内首次实现的双触点应用方案。

同时，英特尔通过材料和电子设计自动化（EDA）工具的优化，使热阻降低了20%至40%，通孔电阻减少了10%至30%，从而缓解了高密度人工智能芯片的散热难题。在器件配置上，新增了侧重低功耗的W1和W1.5，以及主打高性能的W3P选项，并加入了介于低阈值电压与超低阈值电压之间的ULVTLL选项。这为设计人员在速度、功耗和漏电流控制方面提供了更大的调整空间，提升了人工智能、高性能计算及低功耗芯片的设计灵活性。

在客户拓展与封装配套方面，近期市场消息指出，苹果、英伟达等大型企业正与英特尔接触，评估采用18A或18A-P工艺的可能性。与此同时，英特尔也在持续强化EMIB等先进封装技术，以应对人工智能芯片对先进封装的庞大需求。目前，18A-P工艺的风险试产标志着英特尔在推进其代工服务及先进工艺研发方面迈出了实质性的一步。