联电与钰创合作推进2D NAND和NOR Flash制程技术

据媒体报道，面对全球NAND Flash市场价格持续下滑，联电近期积极推动特殊制程技术，带动中型客户发展2D NAND和NOR Flash制程，助力相关IP授权业务，目标是在2D NAND和NOR Flash领域实现技术突破。

消息指出，这项由联电与钰创共同推进的项目，将2D NAND和NOR Flash制程技术转移至联电位于中国台湾的12英寸晶圆厂USJC。该工厂具备先进制程能力，且拥有丰富的特殊制程经验，被业界视为推动2D NAND和NOR Flash制程发展的关键平台。按照计划，USJC将在2026年完成45/40纳米MLC NAND技术开发，并于2027年进入量产阶段。

尽管3D NAND技术已成为主流，但2D NAND和NOR Flash在特定领域仍有重要应用价值。其在低功耗、高可靠性及成本控制方面表现优异，尤其适合物联网、汽车电子等对性能要求较高的场景。因此，联电此次布局不仅有助于满足市场对多样化存储技术的需求，还为自身在特殊制程领域的发展提供了新契机。

据公开资料显示，联电与钰创长期以来保持合作关系，双方在存储技术领域持续深耕。早在2013年，钰创的OTP（一次性可编程存储器）技术已导入联电0.18微米至28纳米制程。2020年，双方联合推出基于PUF技术的安全存储解决方案PUFflash，并采用联电55纳米eFlash制程。2021年，钰创的ReRAM IP通过联电40纳米制程验证。到2023年，钰创的RRAM IP进一步导入联电22纳米超低功耗制程，为市场提供更高效的存储解决方案。

业内分析认为，随着制程技术向28纳米以下迈进，传统NOR Flash技术难以满足需求，而2D NAND和NOR Flash在物联网、嵌入式系统等领域仍有不可替代的优势。相较于技术复杂的3D NAND或DRAM，2D NAND和NOR Flash凭借其较低的技术门槛和较高的性价比，成为中小型企业的理想选择。

此外，联电近期宣布将下调28纳米制程代工价格，以吸引更多客户采用其特殊制程技术。此举被认为将为联电在存储器代工市场带来更多机会。

对于未来规划，联电表示暂无进一步披露，但钰创方面已明确表达合作意愿。因此，业内预计联电将在近期的法说会上对这项合作计划作出更清晰的说明。