台积电联手imec和ASML研发2D材料晶体管

据报道，比利时微电子研究中心（imec）于16日宣布，与光刻设备巨头阿斯麦（ASML）及台积电达成合作。三方共同发布了一项具备创新性、稳定性及可扩展性的12英寸晶圆集成技术路线图。该技术主要应用于基于二维材料的n型和p型场效应晶体管，旨在推动12英寸晶圆二维材料晶体管的研发进程。

imec方面介绍，这一全新平台首次展示了配备50纳米栅极间距的微型化nFET和pFET。其中，nFET采用二硫化钼作为沟道材料，pFET则使用二硫化钨或二硒化钨，并实现了优异的电流-电压特性。二维过渡金属二硫属化物有望进一步拓展逻辑微缩技术的发展路径。当此类材料替代硅材料，并作为原子级超薄导电沟道进行器件集成时，可制造出高性能的微型化晶体管。

这些研究成果标志着二维材料晶体管从实验室走向晶圆厂量产的关键一步，未来有望应用于极小化逻辑器件、后段工艺以及晶圆背面应用。台积电副总裁兼技术长曹敏指出，此次合作为半导体创新发展注入了重要动力。团队致力于降低技术从实验室向晶圆厂转移的风险并加快进度，确保创新沟道材料等突破性发现能迅速且高效地融入先进制造环节。此举也将为台积电在埃米级及1纳米之后先进制程的材料突破提供技术支持。