SK海力士首次采购混合键合设备，加速HBM技术研发

据韩媒Theelec援引业界消息，SK海力士近期向美国应用材料（Applied Materials）与荷兰贝思半导体（Besi）共同开发的混合键合设备下达了首笔采购订单。这是SK海力士首次采购量产型混合键合设备，旨在推动次世代高带宽存储器（HBM）的研发。

据悉，此次采购的混合键合Inline设备单价约200亿韩元（约合1,326万美元）。该设备由应材的化学机械研磨（CMP）与电浆处理设备，以及Besi的混合键合机组成，预计近期将导入开发产线。相关人士透露，混合键合制程预计从下下代HBM产品开始应用，尽管此次为量产型设备订单，但本质上是为了未来技术开发所做的提前布局。

目前，SK海力士尚未公开将混合键合制程应用于HBM的具体方案。据业界推测，最有可能的方式是采用晶粒对晶圆（D2W）键合，即在基础裸晶（base die）晶圆上先放置第一层DRAM核心晶粒，随后通过晶粒对晶粒（D2D）方式逐层堆叠。另一种方案也在评估中，即先将两片DRAM晶粒在晶圆状态下以混合键合方式键合成对（pair），再进行堆叠。例如，若堆叠16层，键合次数可减半至8次。

业界人士表示，具体采用哪种方式尚未确定，未来将通过多方尝试，寻找既能维持良率又能实现最佳效能的方案。此外，SK海力士还计划近期引入韩华Semitech（Hanwha Semitech）开发的混合键合设备，用于工厂内的品质测试。

与此同时，竞争对手三星电子（Samsung Electronics）已先行导入Besi设备用于开发，并近期追加引入Semes的混合键合机进行品质测试。不过，据称Semes设备的完成度仍有待提升。