台积电改建8寸、12寸晶圆厂，聚焦先进制程与封装技术

据半导体设备业者透露，台积电正加速推进现有8寸和12寸晶圆厂的改建计划，以应对市场需求变化和技术升级。竹科6寸厂（Fab 2）和8寸厂（Fab 3/5/6/8）已着手改建，部分产能将用于先进封装技术如CoWoS和CoPoS，并计划建设自制EUV光罩护膜产线，以提升EUV设备的制程良率。此外，南科14厂和竹科12厂也将进行产能和技术调整，部分二手机台设备已转售给世界先进新加坡12寸厂。

2纳米及以下制程需求强劲，台积电扩产计划超预期

据消息人士透露，台积电在2纳米及以下制程领域的产能需求持续增长，扩产规模已超出预期。亚利桑那州厂区确定将建设8座晶圆厂，制程技术将推进至A14以下。在中国台湾地区地区，台南沙仑预计新增至少2座晶圆厂，导入A14以下制程，以满足未来高端芯片需求。

竹科6寸厂逐步退出氮化镓代工业务

台积电宣布，竹科6寸晶圆厂将于2025年起逐步退出氮化镓（GaN）代工业务，相关产线将停止生产。主要客户纳微半导体（Navitas）已与力积电扩大合作，相关产品将逐步转移至力积电代工。此外，竹科8寸厂的产能也在缩减，部分设备已出售给世界先进、大陆厂商及东南亚国家的企业。

成熟制程订单或转移至世界先进

针对12寸厂的90纳米及以下成熟制程，台积电尚未与客户达成最终协议，但倾向于建议客户将订单转移至世界先进新加坡厂。据悉，世界先进与恩智浦（NXP）合资的新加坡12寸晶圆厂VSMC预计于2027年第一季度量产，聚焦40~130纳米成熟制程，目标月产能达5.5万片。

南科与高雄厂区加速布局3纳米与2纳米制程

为满足NVIDIA等大客户对高端制程的需求，台积电正加速南科和高雄厂区的3纳米与2纳米制程扩产计划。南科晶圆厂将新增3纳米产能，而高雄F22厂的P1和P2厂区将以2纳米为主，目标月产能达2万~2.5万片。此外，台南沙仑预计新增至少2座晶圆厂，进一步强化台积电在全球高端制程市场的竞争力。

市场传闻待证实，台积电暂不回应

对于市场传闻称台积电将逐步退出90纳米以下成熟制程订单，转而专注于先进封装技术，台积电表示目前正值法说会前缄默期，不予回应。不过，改建计划已向客户说明，预计给予1~2年的过渡期。