混合键合技术成半导体新宠，中国厂商加速追赶

在摩尔定律逐渐放缓的背景下，先进封装技术成为推动半导体性能提升的重要驱动力。其中，混合键合（Hybrid Bonding）作为下一代互连核心技术，正迅速从实验室走向大规模量产，成为存储器和高带宽存储器（HBM）制造的关键支柱。

混合键合技术通过原子级平整度实现金属与氧化物的结合，从而提升信号完整性和热阻表现，满足更高密度和更低功耗的需求。据Yole数据显示，混合键合在HBM市场的渗透率将从2025年的1%飙升至2028年的36%。同时，2020年混合键合设备市场规模达3.2亿美元，预计到2027年芯片到晶圆（CoW）和晶圆到晶圆（WoW）市场将分别达到2.3亿美元和5.1亿美元，年复合增长率高达69%和16%。

设备厂商近年来在混合键合领域加快布局。芯慧联新推出了首台D2W（Die-to-Wafer）与W2W（Wafer-to-Wafer）混合键合设备，号称100%全流程自主研发，填补了国内市场的空白。青禾晶元则建成国内首条高端键合衬底产线，并推出支持C2W和W2W双模式的混合键合设备，能够满足研发与生产需求的无缝对接。此外，艾科瑞思和拓荆科技也分别在2023年和2024年推出了相关设备。

然而，国产设备在稳定性和精度方面仍与国际顶尖水平存在差距。专家指出，中国厂商需要在材料与制程技术上持续突破，才能在全球竞争中占据一席之地。

国际厂商方面，韩系存储器巨头对混合键合技术的投入尤为积极。三星已确认在16层HBM4中导入混合键合技术，并计划于2026年实现量产。同时，三星还与长江存储签署专利授权协议，计划在第10代V10 NAND中引入晶圆对晶圆混合键合技术，支持430层堆叠。SK海力士则规划于2026年量产16层HBM4，并从HBM4E开始导入混合键合技术，目标实现20层以上堆叠。此外，该公司还正在开发400层NAND，将混合键合列为核心制程。

设备商在混合键合技术中扮演着重要角色。荷兰Besi和美国应用材料（Applied Materials）处于市场领先地位，前者在300mm晶圆键合中已获得多家客户验证，后者则通过整合封装平台并在2024年入股Besi巩固了市场地位。新加坡ASMPT、韩美半导体（Hanmi Semiconductor）、韩华和LG等厂商也在积极布局，尤其在韩系大厂技术路线的支持下，加速验证与导入。

在AI、云端和高效能运算的推动下，混合键合技术已成为先进封装的重要趋势。