三星规划50台混合键合产线，韩国本土设备商入局

三星计划在韩国平泽园区P5工厂建设一条包含50台设备的裸晶对晶圆（D2W）混合键合量产线，主要用于生产下一代高带宽存储器（HBM）与逻辑芯片。据韩媒ZDNet Korea引述业界消息，该产线预计于2026年底开始设备进场与安装。三星最初将荷兰后段工艺设备供应商贝思半导体（Besi）定为首选合作伙伴。Besi曾在2026年第一季度财报会议中透露，预计同年中期会有更多关于三星导入其混合键合设备的明确信息，当时相关设备正处于质量验证阶段。

然而，由于三星提出修改设备结构的需求，具体供货时间尚未敲定。此外，Besi的单台设备售价约为60亿韩元（约人民币2752.20万元），折合404.7万美元（约人民币2742.52万元），比竞争对手高出约两倍，这也成为谈判周期拉长的原因之一。业界人士透露，Besi目前正为台积电、美光等全球半导体企业供应同类设备，单独为三星修改结构带来了一定压力。由于协调存在困难，三星正考虑引入能够更灵活响应需求的韩国本土设备制造商。

知情人士表示，三星旗下的半导体设备子公司Semes已接到向该量产线供应D2W混合键合设备的要求。据悉，Semes于2026年初完成了相关设备的开发并交付三星进行性能验证，业界推测其已顺利通过测试。同时，韩华Semitech也被纳入合作伙伴考量范围，该公司于2026年2月完成了第二代D2W混合键合设备的开发，并在同年4月向SK海力士提供了评估样品。

尽管设备预计从2026年底起陆续进驻平泽园区，但三星内部评估认为，混合键合的技术难度显著高于热压键合（TC Bonding），因此真正的大规模量产节点可能推迟至2030年。业界预测，该项技术的大规模商业化应用，或将与英伟达（NVIDIA）下一代人工智能加速器Feynman在2029年前后的发布同步到来。

注：按1韩元≈0.004587人民币、1美元≈6.7767人民币计算。