中国首台10nm级！压印光刻系统交付

8月1日，由璞璘科技自主设计研发的首台PL-SR系列喷墨步进式纳米压印设备顺利通过验收，并成功交付至国内特色工艺客户。

据介绍，PL-SR系列设备攻克了喷墨涂胶工艺等关键技术难题，达到了平均残余层<10nm、残余层变化<2nm、压印结构深宽比>7：1的技术指标，可对应线宽＜10nm 的纳米压印光刻工艺。
目前，该系列设备已初步完成存储芯片、硅基（oS）微显示器、硅光（SiPh）及先进封装（AVP）等芯片研发验证；其最小可实现20mm×20mm压印模板均匀拼接，最终可实现12英寸晶圆级超大模板。

作为行业参照，佳能此前推出的FPA-1200NZ2C纳米压印光刻机（该设备对中国实施禁运），凭借纳米压印技术可实现14nm线宽，据此宣称能够生产5nm制程芯片。而璞璘科技的PL-SR系列设备在这项指标上已经超越了佳能，但是，这并不意味着利用该设备就可直接用于5nm制程先进逻辑芯片的制造。
与已商用的EUV光刻技术相比，纳米压印技术具有显著的成本与能耗优势 —— 无需复杂的EUV光源系统，据佳能数据显示，其耗电量仅为EUV技术的10%，设备投资成本可降至EUV设备的40%。不过，该技术也存在明显局限：芯片制造速度慢于传统光刻方式，且不适用于复杂逻辑制程芯片的生产。
值得注意的是，NAND Flash等存储芯片的图形结构相对简单，其多层堆叠结构具有高度一致性，因此更易于适配纳米压印技术。这意味着国产存储芯片厂商有望借助国产纳米压印设备提升制程工艺，打破西方在高端存储制造设备领域的封锁，从而在与SK海力士、三星等国际存储大厂的竞争中占据更有利地位。
业内普遍认为，此次交付是我国首次向实际芯片量产客户提供步进式纳米压印曝光系统，标志着该技术在产业化落地进程中迈出了关键一步。
此外，值得注意的是，近期在苏州召开的“2025 年先进曝光技术研讨会”上，来自华中科技大学、复旦大学、中国科学院等科研单位，以及芯上微装、皓宇芯光等本土设备厂商，集中发布了极紫外激光元件、多电子束曝光、半导体封装等关键技术领域的最新成果。

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