碳化硅和氮化镓领域专利频获多项突破

近日，碳化硅和氮化镓领域接连传出专利突破的消息，多家企业和研究机构在材料制备、器件制造及应用拓展方面取得重要进展。

器件制造技术实现优化

3月22日，国家知识产权局信息显示，福州镓谷半导体有限公司申请了一项名为“一种大尺寸硅基的氮化镓外延器件及生长方法”的专利（公开号CN 119653841 A，申请日期为2024年12月）。该专利通过设置应力释放层，缓解缓冲层过厚产生的应力，从而提升器件耐压能力和结晶质量，为后续芯片制造提供了更平整的表面。

同一天，安徽格恩半导体有限公司也申请了一项“一种氮化镓基半导体激光器元件”的专利（公开号CN 119651346 A，申请日期为2024年12月）。该专利通过引入电流诱导自旋极化层，利用菲利普电离度特性，中和内部极化场，从而提升激光器的峰值增益和光功率。

此外，比亚迪集团执行副总裁廉玉波于3月17日宣布，比亚迪成功研发出全新一代1500V车规级碳化硅（SiC）功率芯片，这是行业内首次实现量产应用的最高电压等级车规级SiC功率芯片。该芯片支持兆瓦级快速充电，可实现充电5分钟续航400公里的性能，为新能源汽车的性能提升提供了重要支撑。

图源：比亚迪

材料制备技术取得突破

3月24日，成都天一晶能半导体有限公司取得了一项名为“一种新型碳化硅籽晶粘接用炭化炉”的专利（授权公告号CN 222648188 U，申请日期为2024年6月）。该专利通过内置加热机构和测温机构，提升了碳化硅籽晶粘接的质量，为碳化硅材料的生产提供了重要保障。

图源：国家知识产权局

江苏天科合达半导体有限公司则于3月20日申请了一项“一种碳化硅晶体的生长工艺及应用”的专利（公开号CN 119640393 A，申请日期为2024年12月）。该专利通过优化装料工艺，提升了粉料在生长过程中升华气体的均匀性和利用率，从而减少晶体缺陷，提高晶体质量。

图源：国家知识产权局

此外，九峰山实验室科研团队于3月24日成功制备出全球首个8英寸硅基氮极性氮化镓（N-polar GaNOI）高电子迁移率材料。这一成果打破了国际技术垄断，为5G/6G通信、卫星通信等领域的应用提供了技术支撑。

图源：九峰山实验室

应用拓展助力效率提升

3月21日，浙江绿源电动车有限公司取得了一项“集成充电和逆变双向电源的氮化镓充电器散热结构”的专利（授权公告号CN 222638962 U，申请日期为2024年6月）。该专利通过优化散热结构，提升了氮化镓充电器的散热性能。

图源：国家知识产权局

江苏第三代半导体研究院有限公司于2025年3月取得了一项“前驱体封装容器及气相沉积系统”的专利（授权公告号CN 222648108 U，申请日期为2024年6月）。该专利通过设计多腔体结构，延长了封装容器的使用时限，为提高生产效率和降低成本提供了技术支持。

图源：国家知识产权局