8英寸SiC晶圆线扩产至30条，进行切磨抛痛点

随着全球8英寸碳化硅（SiC）晶圆线扩产至30条，切磨抛环节面临的工时、成本、良率等挑战日益凸显。作为产业链上游的关键环节，切磨抛工艺的优化与降本增效成为行业关注的焦点。

据调研，尽管6英寸SiC衬底的切磨抛工艺已相对成熟，但8英寸SiC衬底因尺寸扩大，导致切磨抛过程中的损耗、厚度均匀性、翘曲度控制等难度增加。同时，晶圆加工环节的背面减薄、抛光以及切割也面临更大挑战，成本和时间投入预计将大幅增加。

为应对这些挑战，京创先进、惠丰钻石等企业已在设备、材料方面进行创新改进。京创先进的减薄和切割设备已可支持8英寸SiC产品，实验数据表现良好。惠丰钻石则推出了针对8英寸SiC衬底的高效砂浆切割粉，以降低切割成本。

展望未来，8英寸SiC市场的发展速度可能超出预期。随着各条产线加快布置，8英寸SiC有望成为主流尺寸，并在新能源汽车、光伏储能等领域展现巨大市场潜力。然而，要实现8英寸SiC的量产化和降本，仍需整个产业链的协同合作和技术创新。