国产光刻机“捷报频传”
来源:芯榜发布时间:2023-09-202058浏览
询问 AI国产光刻机正处于聚光灯下。清华SSMB项目真假掺半近期“清华大学已经攻克了EUV光刻机的光源，我国EUV光刻机量产”的“小作文”刷屏网络。18日晚间，中国电子院公众号发布信息，辟谣了各大视频平台疯传的“清华大学EUV项目在雄安新区落成”的消息，为假。点击看：光刻机工厂？No！
该项目并非国产光刻机工厂，而是北京高能同步辐射光源项目（HEPS）。且该项目早在2019年就开始建设，将于2025年底投入使用。HEPS可以看做巨型X光机，其产生的小光束可以穿透物质、深入内部进行立体扫描，从分子、原子的尺度，多维度地观察微观世界。而对于以SSMB-EUV光源技术解决EUV光源的项目，过去几年的相关报道时间线如下：关于SSMB-EUV光源技术的出处，可以追溯到2010年，斯坦福大学物理学教授赵午与他的博士生合作，发表了关于用高能粒子来产生EUV光的基础性的论文。2017年，清华的教授唐传祥团队牵头成立国际SSMB研究组，联合中、德、美等国家的科研人员，推动包括SSMB原理验证实验在内的各项研究。2021年，国际SSMB研究组完成了首个原理验证实验，在《Nature》上发了题为《稳态微聚束原理的实验演示》的研究论文。2021年2月25日，由《澎湃新闻》发表《清华团队新成果在<自然>发表：有望解决光刻机自主研发难题》的报道。该报道中，唐传详主要有三大论点：“基于SSMB的EUV光源有望解决自主研发光刻机中最核心的‘卡脖子’难题。”“SSMB光源的潜在应用之一是作为未来EUV光刻机的光源，这是国际社会高度关注清华大学SSMB研究的重要原因。”“基于SSMB的EUV光源有望实现大的平均功率，并具备向更短波长扩展的潜力，为大功率EUV光源的突破提供全新的解决思路。”综合以上信息，清华大学在雄安区建设的SSMB-EUV光源项目，一句话概括，属于真假掺半。真的是SSMB光源有潜在成为未来EUV光刻机光源的可能，假的是雄安项目“张冠李戴”，把北京高能同步辐射光源项目（HEPS）的施工图安到了SSMB-EUV光源项目上。除此之外，光刻机也出现了“概念混淆”的乌龙事件。此光刻机，非彼光刻机在A股，卖爆“光刻机”可能只要一句话。此前，苏大维格在投资者互动平台回复投资者提问时表示，“公司光刻机已实现向国内龙头芯片企业的销售，并已实现向日本、韩国、以色列等国家出口。”此话一出，随即在A股市场发酵，公司股价暴涨。即便稍晚时候，苏大维格解释，公司主要生产的是激光直写光刻机，而不是，芯片光刻机。但还是让不精通“光刻机”设备的投资者涌入了“买买买”大军。事实上，光刻机根据用途的不同，分为用于生产芯片、用于封装和用于LED制造的光刻机。激光直写光刻机跟生产芯片的光刻机最关键三点不同在于：1、前者无掩膜，后者需要掩膜；2、后者比前者光源波长更短。激光直写波长有405nm和375nm，IC光刻机其光源波长λ从第一代光刻机光源436nm，历经5代，已经实现13.5nm波长的EUV；3、后者比前者光刻精度小。激光直写光刻机采用专利技术的LED固体光源和高精密光栅尺定位工作平台，可以实现0.65um的亚微米分辨率光刻及0.6um的套刻精度。IC光刻机根据光源波长的不同，已经能够用第五代EUV光刻机实现3nm半导体生产。此光刻机非彼光刻机，短期暴涨的股价，终归要回归沉寂。搞科研也不是脑子一热的“梭哈”，久久为功，方能善作善成。光刻机为什么那么难？光刻机历经五代发展，从接触式光刻机、接近式光刻机、扫描投影式光刻机、再到步进式扫描投影光刻机以及最先进的EUV光刻机。EUV光刻机采用波长为13.5nm的激光等离子体光源作为光刻曝光光源。使其波长达到193nm的1/14，几乎逼近物理学、材料学以及精密制造的极限，是制造7nm以下芯片必备的关键设备。ASML是全球唯一一家能够制造出EUV光刻机的公司。数据显示，到2022年底为止，ASML总共出货182台EUV光刻机，仅卖给了5个芯片制造客户，分别是英特尔、三星、台积电、美光和SK海力士。以ASML公司制造的EUV光刻机来说，这个光刻机中有10万多个零件，其中90%的关键设备都来自其他国家，该公司只负责整机设计和各模块集成。所以，制造光刻机仅有核心技术是不够的，很多零件依靠进口，想在这种情况下，独立完成光刻机制造，极其艰难。而EUV光刻机作为我国集成电路产业先进制程再进一步的重要设备，在美方政府多项芯片禁令限制下，阻断了日本、荷兰等国企业向中国出售该设备的路径。尤其是第五代光刻机13.5nm波长的EUV，中国想通过进口获得几乎不可能。因此，攻克高端光刻机成为全民殷切希望，但造光刻机毕竟不是摊煎饼，支起炉子、架起锅就能开工了，即便是SSMB有成为EUV光源的可能性，但也只是“可能”。什么时候能实现？没人能说清。而即便有了EUV光源，其他零部件能否完全自研，还要打个问号。
该项目并非国产光刻机工厂，而是北京高能同步辐射光源项目（HEPS）。且该项目早在2019年就开始建设，将于2025年底投入使用。HEPS可以看做巨型X光机，其产生的小光束可以穿透物质、深入内部进行立体扫描，从分子、原子的尺度，多维度地观察微观世界。而对于以SSMB-EUV光源技术解决EUV光源的项目，过去几年的相关报道时间线如下：关于SSMB-EUV光源技术的出处，可以追溯到2010年，斯坦福大学物理学教授赵午与他的博士生合作，发表了关于用高能粒子来产生EUV光的基础性的论文。2017年，清华的教授唐传祥团队牵头成立国际SSMB研究组，联合中、德、美等国家的科研人员，推动包括SSMB原理验证实验在内的各项研究。2021年，国际SSMB研究组完成了首个原理验证实验，在《Nature》上发了题为《稳态微聚束原理的实验演示》的研究论文。2021年2月25日，由《澎湃新闻》发表《清华团队新成果在<自然>发表：有望解决光刻机自主研发难题》的报道。该报道中，唐传详主要有三大论点：“基于SSMB的EUV光源有望解决自主研发光刻机中最核心的‘卡脖子’难题。”“SSMB光源的潜在应用之一是作为未来EUV光刻机的光源，这是国际社会高度关注清华大学SSMB研究的重要原因。”“基于SSMB的EUV光源有望实现大的平均功率，并具备向更短波长扩展的潜力，为大功率EUV光源的突破提供全新的解决思路。”综合以上信息，清华大学在雄安区建设的SSMB-EUV光源项目，一句话概括，属于真假掺半。真的是SSMB光源有潜在成为未来EUV光刻机光源的可能，假的是雄安项目“张冠李戴”，把北京高能同步辐射光源项目（HEPS）的施工图安到了SSMB-EUV光源项目上。除此之外，光刻机也出现了“概念混淆”的乌龙事件。此光刻机，非彼光刻机在A股，卖爆“光刻机”可能只要一句话。此前，苏大维格在投资者互动平台回复投资者提问时表示，“公司光刻机已实现向国内龙头芯片企业的销售，并已实现向日本、韩国、以色列等国家出口。”此话一出，随即在A股市场发酵，公司股价暴涨。即便稍晚时候，苏大维格解释，公司主要生产的是激光直写光刻机，而不是，芯片光刻机。但还是让不精通“光刻机”设备的投资者涌入了“买买买”大军。事实上，光刻机根据用途的不同，分为用于生产芯片、用于封装和用于LED制造的光刻机。激光直写光刻机跟生产芯片的光刻机最关键三点不同在于：1、前者无掩膜，后者需要掩膜；2、后者比前者光源波长更短。激光直写波长有405nm和375nm，IC光刻机其光源波长λ从第一代光刻机光源436nm，历经5代，已经实现13.5nm波长的EUV；3、后者比前者光刻精度小。激光直写光刻机采用专利技术的LED固体光源和高精密光栅尺定位工作平台，可以实现0.65um的亚微米分辨率光刻及0.6um的套刻精度。IC光刻机根据光源波长的不同，已经能够用第五代EUV光刻机实现3nm半导体生产。此光刻机非彼光刻机，短期暴涨的股价，终归要回归沉寂。搞科研也不是脑子一热的“梭哈”，久久为功，方能善作善成。光刻机为什么那么难？光刻机历经五代发展，从接触式光刻机、接近式光刻机、扫描投影式光刻机、再到步进式扫描投影光刻机以及最先进的EUV光刻机。EUV光刻机采用波长为13.5nm的激光等离子体光源作为光刻曝光光源。使其波长达到193nm的1/14，几乎逼近物理学、材料学以及精密制造的极限，是制造7nm以下芯片必备的关键设备。ASML是全球唯一一家能够制造出EUV光刻机的公司。数据显示，到2022年底为止，ASML总共出货182台EUV光刻机，仅卖给了5个芯片制造客户，分别是英特尔、三星、台积电、美光和SK海力士。以ASML公司制造的EUV光刻机来说，这个光刻机中有10万多个零件，其中90%的关键设备都来自其他国家，该公司只负责整机设计和各模块集成。所以，制造光刻机仅有核心技术是不够的，很多零件依靠进口，想在这种情况下，独立完成光刻机制造，极其艰难。而EUV光刻机作为我国集成电路产业先进制程再进一步的重要设备，在美方政府多项芯片禁令限制下，阻断了日本、荷兰等国企业向中国出售该设备的路径。尤其是第五代光刻机13.5nm波长的EUV，中国想通过进口获得几乎不可能。因此，攻克高端光刻机成为全民殷切希望，但造光刻机毕竟不是摊煎饼，支起炉子、架起锅就能开工了，即便是SSMB有成为EUV光源的可能性，但也只是“可能”。什么时候能实现？没人能说清。而即便有了EUV光源，其他零部件能否完全自研，还要打个问号。
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