先进封装战局，英特尔、台积电双雄对决

随着芯片尺寸已逐步微缩至物理极限，先进封装已被视为可延续摩尔定律（Moore's Law）的要角，目前英特尔（Intel）、三星电子（Samsung Electronics）、台积电以及OSAT大厂日月光、Amkor与长电等合计占有全球大部分先进封装的产能。

但业界提前预见先进封装战场已是英特尔、台积与三星交火战局，当中又以技术领先且量能不断成长的台积电与英特尔对决为主。

台积电总裁魏哲家先前指出，当前单一芯片可以整合超过500亿个晶体管，但还是无法满足超大规模运算的效能需求，为了实现这样的运算能力，需要有效地整合更多芯片或所谓的小芯片技术。

台积电先前已立下目标，2022年先进封装产能比2018年大3倍，2022年开始SoIC芯片堆叠制造，2026年产能将全面扩大20倍以上。

随着竹南封测六厂正式启用后，将使台积电能有更完备且具弹性的 SoIC、InFO、CoWoS 及先进测试等多种3DFabric先进封装及矽堆叠技术产能规划，预估将创造每年上百万片12寸晶圆约当量的3DFabric制程技术产能。

台积电的3DFabric系统整合技术包含各种先进的3D矽堆叠和先进封装技术，以支持广泛的次时代产品：在3D矽堆叠方面，正于SoIC家族中加入微凸块的SoIC-P，以支持更具成本敏感度的应用。

2.5D CoWoS平台实现先进逻辑和高带宽存储器的整合，适用于AI、机器学习和数据中心等HPC应用；整合型扇出层叠封装技术（InFO PoP）和InFO-3D支持移动应用。InFO-2.5D则支持HPC小芯片整合。SoIC堆叠芯片可被整合于InFO或CoWoS封装中，以实现最终系统整合。

其中，在近期热门的CoWoS家族方面，主要针对需整合先进逻辑和高带宽存储器（HBM）的HPC应用。台积电已支持超过25个客户的逾140种CoWoS产品。

台积电正在开发具有高达6个光罩尺寸重布线层（RDL）中介层的CoWoS解决方案，能够容纳12个高带宽存储器堆叠。值得一提的是，因应市场强劲需求，台积电也迅速规划投资900亿元，在铜锣科学园区设立先进封装厂，预计2024年下半开始动工，2027年中前后量产，月产能11万片。

而在先进封装技术能与台积电一较高下的只有英特尔，其先进封装厂分别位于 美国新墨西哥州及马来西亚，测试组装厂更在哥斯达黎加 、国内成都、马来西亚、越南与规划中的波兰皆有据点。据了解，英特尔也传出将扩大马来西亚先进封装产能。

英特尔信心表示，其先进封装技术EMIB和3D堆叠 Foveros 等先进封装技术，分别已应用至Stratix 10 FPGA 和代号 Lakefield 的处理器，2023年EMIB 已扩大应用至 Sapphire Rapids 处理器，并正在研发凸块间距 45μm 版本。

备受关注的 Ponte Vecchio，即是同时应用 EMIB 和 Foveros 技术，单一封装内含 47 个功能芯片块（functional tile）＋16 个热传芯片块（thermal tile），横跨 5 个制程节点，共计超过千亿个晶体管。英特尔更会提供新一代 Foveros Direct，进一步提升晶粒互连带宽和传输效率。

台积电、英特尔以先进制程优势，且立下高资本支出与技术门槛，未来先进封装战局几已形成双雄对决情势。

不过，英特尔先进封装与先进制程技术不输台积电，但在专业代工服务，以及订单、客户规模则远不及台积电，弯道超车难度不低。