(Daily Issue)存储器减产难遏需求急冻 大厂竞局再掀波澜

存储器大厂相继启动减产或缩减资本支出，将影响未来1年新增产能。美光

2022年全球消费市场陷入愁云惨澹，周期循环快速的存储器产业首当其冲，市场价格快速进入下跌走势，需求下修导致库存升高的压力从终端市场扩散至上游原厂，各家存储器大厂不得不相继宣布减产或降低资本支出，面对市况持续低迷，美光（Micron）更释出2023年盈利受挑战的警讯。

上游晶圆减产将影响未来6个月供给产出，而资本支出调降将牵动未来9~12个月的新增产能，虽然减产将有助于减缓塞货问题，供给减少的效应仍要到2023年上半逐渐显现。如今战争、通膨等宏观经济逆风变量难料，需求持续低迷不振将是最大挑战，恐将加速全球存储器产业大者愈大的竞争局势。

原厂减产求生 三星趁乱大展身手

受到存储器面临上、下游需求旺季不旺，产业寒冬笼罩，美光、SK海力士（SK Hynix）、铠侠（Kioxia）等业者决定从2022年第4季起勒紧裤带，展开减产大作战。

尽管外界认为削减供应和资本支出，将有利于存储器产业调整加速落底，但龙头大厂三星电子（Samsung Electronics）的态度却暧昧不明，屡次强调不考虑「人为减产」。

随着2022年第4季DRAM与NAND Flash价格跌幅扩大至2成多，除三星以外的存储器业者，为避免价格暴跌引发连环倒闭恶梦再起，求生策略多半采取谨慎卖、不随便倒货，以免卖愈多亏愈多。

对于三星的老神在在，有一派人士认为，三星2023年上半DRAM与NAND将维持产能满载，抓紧危机壮大声势，拖延其他对手的成长步调，拉大产业竞争差距。

但另有业者认为，市场价格已跌至谷底，即使是三星也难逃亏损冲击，加上手机、电视品牌销售不佳，集团欠缺获利金鸡母的支持，认为三星要坚持不减产的难度增加，现金流恐怕难以负担进一步降价攻势。

虽三星持续蝉联DRAM与NAND龙头多年，但近年来技术升级卡关，遭到美光迎头赶上，2023年将可能成为三星翻转局势的大好时机。赶在2022年底前，三星宣布采用EUV设备的DRAM突破至12纳米级制程，并计划从2023年起开始量产。

美光1β制程DRAM在2022年底于日本广岛厂量产，估计能领先对手的时间约莫2个季度，原本业界预期美光将于2023年初在台湾厂区导入1β纳米制程，但降低资本支出及保留现金的综合考量，美光不仅在台湾导入1β纳米量产的时程放缓，原定在2024年推进EUV设备量产的1γ纳米DRAM也将推迟至2025年。

在NAND部分，三星目前仍以100+层第六代V-NAND为主力，但176层第七代V-NAND已开始转换，并启动超过200层的第八代V-NAND进入小量生产。

尽管V8产品应在2023年才会有较大出货成长，但美光232层NAND从2022年下半逐步量产，就遭到资本支出缩减影响进度推迟，将导致两大存储器厂的技术落差大幅缩短，而三星NAND位元产出仍在不断增加。

市场认为，在撙节支出下，美光176层NAND维持在主流制程的时间可能将延长至2023年，首次采用EUV设备的关键制程1γ纳米DRAM更延后长达1年，加上量产初期的良率爬坡期，美光恐难延续技术霸主的地位。

因应市场价格惨跌，美光继2022年9月底宣布缩减资本支出后，11月再宣布正同步减产DRAM与NAND投片约2成，减产幅度将达到20%。

美光2022年底进一步调降2023财年资本支出至70亿~75亿美元，较原定投资额度大幅减少近40%，甚至2024年度也将持续减少资本支出。

尽管美光2022年下半曾预期，存储器库存调节可望于2023年初改善，整体需求将于2023年第2季开始反弹，但到了年底，CEOSanjay Mehrotra表明，芯片业正在历经13年来最严重的供需失衡，预测客户库存水准会在2023年底才降到较健康的水准。

由于对2023年抱持谨慎，估计整体DRAM的位元供给将从原先预期增加5%转为负值，而NAND增幅从28%大幅收敛至低个位数幅度。

此外，SK海力士也决定大减资本支出约5成，面临库存逐季拉升，2022年第3季净利已年减及季减达6成以上，致使SK海力士对获利较差的产品进行减产。预料SK海力士也将陷入亏损困境，成为过去10年首次出现第4季亏损，减产动作至少将延续至2023年上半。

长江存储升级梦碎 地缘政治牵动存储器变局

相比于DRAM仅剩三雄并立，NAND竞争局势更为激烈，铠侠面临进退两难的处境，其主力制程112层NAND已不具竞争力，甚至传出第4季赔到现金流出，IPO上市计划再度被迫延迟。而策略联盟伙伴的威腾（WD）也有意放缓2023年资本支出，对于亟需资金扩产及技术升级的铠侠无疑是蜡烛两头烧。

然半导体生产在地化风潮正兴，铠侠成为日本半导体最后一道防线，日本政府无法见死不救，更不能拱手让出给国外竞争对手。四日市晶圆厂 Fab7于2022年10月完工，第一期总投资高达1万亿日圆 （约新台币2,220亿元），目前部分投资金额确定将由政府补贴资助。

预计铠侠2023年上半获得资金后，将朝向162层NAND升级，若顺利进展，可能在2024年跳过192层，直接升级到200层以上。

2022年10月初美国商务部祭出出口管制新规，要求设备供应商向国内业者出货16/14纳米（含）以下FinFET制程逻辑芯片设备，及18纳米（含）以下DRAM与128层（含）NAND或更高层数相关设备之前，必须取得商务部许可执照。

在2个月后，长江存储被列入美国实体清单（Entity List），中断了国内半导体超车国际大厂的发展大梦，也卡住长江存储抢先量产232层NAND的升级道路。

虽然长江存储2023年将以持续增加投片规模为目标，但在地缘政治排挤效应下，客户势必逐渐限缩于国内本土内需市场，对于全球NAND影响力大幅降低，并有助压低整体NAND产业供应位元成长率，避免供给过剩继续恶化。

除国内存储器厂商遭到锁喉，韩系厂商在国内投资规模最大，三星在西安的3D NAND存储生产基地是主力，约占三星NAND总产能达40%，而SK海力士无锡厂约占50%的DRAM产能。

以三星为首的韩厂势，必须寻求在美国及国内的投资能取得平衡，虽然韩厂取得1年豁免待遇，但未来的豁免待遇得逐年申请授权，这也意味着韩厂将承担相当的义务与风险。长期而言，在国内产能及市场拓展受阻风险升高，可能削弱韩厂长期市占率。

无论是DRAM或NAND产业在，2022年都遭遇景气周期衰退的严峻考验，现货价虽然在2022年第4季收敛跌幅，然2023年景气春燕报到的变量频添。

首要观察指标仍在于出货量回升时间，随着拉货需求持续改善，市场价格才有望从底部复苏，龙头大厂三星擅于「危机入市」压制对手，口袋不够深的竞争同业恐怕在2023年依然处于元气大伤。

责任编辑：朱原弘